[发明专利]衬底结构及包含其半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201910333765.X | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863590B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林永丰;周政道 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。其中，衬底结构包含衬底、弯曲度调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层上。衬底结构具有总弯曲度值，此总弯曲度值位于‑20微米至‑40微米的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 包含 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
