[发明专利]衬底结构及包含其半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种衬底结构，其特征在于，所述衬底结构包括：

一衬底；

一弯曲度调节层，位于所述衬底的一上表面上；以及

一硅层，位于所述弯曲度调节层上，其中所述衬底结构具有一总弯曲度值，所述总弯曲度值位于-20微米至-40微米的范围内，其中当所述弯曲度调节层的一弯曲度值为负值时，所述衬底的一弯曲度值为正值，且当所述弯曲度调节层的一弯曲度值为正值时，所述衬底的一弯曲度值为负值。

2.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，还包括：

一缓冲层，位于所述硅层上，所述缓冲层包括氮化铝、氮化镓、氮化镓铝、或其任意组合，且所述缓冲层的厚度为0.2微米至0.5微米。

3.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底为氮化铝衬底。

4.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底更具有相对于所述上表面的一下表面，且所述下表面上具有一标记。

5.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述弯曲度调节层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或其任意组合。

6.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述衬底结构的直径为6英寸至8英寸。

7.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述弯曲度调节层的厚度为0.3微米至2.5微米，所述硅层的厚度为0.1微米至0.6微米。

8.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

形成一衬底结构，包括：

提供一衬底；及

在所述衬底的一上表面上形成一弯曲度调节层，以将所述衬底结构的一总弯曲度值调节成为小于50微米，其中当所述弯曲度调节层的一弯曲度值为负值时，所述衬底的一弯曲度值为正值，且当所述弯曲度调节层的一弯曲度值为正值时，所述衬底的一弯曲度值为负值；以及

在所述衬底结构之上形成一氮化镓半导体层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述衬底的所述上表面上形成所述弯曲度调节层，以将所述衬底结构的所述总弯曲度值调节成为-20微米至-40微米。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底结构的所述总弯曲度值等于所述衬底的一弯曲度值与所述弯曲度调节层的一弯曲度值的总和。

11.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述衬底结构还包括：

在所述弯曲度调节层上形成一硅层，其中所述衬底结构的所述总弯曲度值等于所述衬底的一弯曲度值、所述弯曲度调节层的一弯曲度值、与所述硅层的一弯曲度值的总和。

12.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述衬底结构还包括：

在所述弯曲度调节层上形成一硅层；以及

在所述硅层上形成一缓冲层，其中所述衬底结构的所述总弯曲度值等于所述衬底的一弯曲度值、所述弯曲度调节层的一弯曲度值、所述硅层的一弯曲度值、与所述缓冲层的一弯曲度值的总和。

13.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，提供所述衬底包括：

提供多个衬底材料粉体；

对所述衬底材料粉体进行一高温工艺，以形成所述衬底，其中所述高温工艺的温度为1500℃至1900℃；以及

研磨所述衬底的所述上表面，使得所述衬底的所述上表面的曲率小于所述衬底的一下表面的曲率，其中所述下表面相对于所述上表面。