[发明专利]一种多重响应波段的半导体探测器

摘要

本发明公开一种多重响应波段的半导体探测器，依次包括衬底、第一导电型氮化物半导体，InxGa1‑xN/GaN量子阱，V‑pits，第一Au纳米颗粒，Ga2O3/ZnO核壳结构纳米柱，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga2O3)y/(GaN)z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒，第二导电型Si基板，其特征在于所述InxGa1‑xN/GaN量子阱的V‑pits上方依次沉积第一Au纳米颗粒，Ga2O3/ZnO，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga2O3)y/(GaN)z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒。

主权项

1.本发明公开一种多重响应波段的半导体探测器，依次包括衬底、第一导电型氮化物半导体，In_xGa_1‑xN/GaN量子阱，V‑pits，第一Au纳米颗粒，Ga₂O₃/ZnO核壳结构纳米柱，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga₂O₃)_y/(GaN)_z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒，第二导电型Si基板，其特征在于所述In_xGa_1‑xN/GaN量子阱的V‑pits上方依次沉积第一Au纳米颗粒，Ga₂O₃/ZnO核壳结构纳米柱，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga₂O₃)_y/(GaN)_z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒；所述(Ga₂O₃)_y/(GaN)_z纳米柱壳层为周期性结构，所述周期y≥0，z≥0。