[发明专利]化合物硫硅镉锂和硫硅镉锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910201751.2 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109809410A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;李广卯;武奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C01B33/00 | 分类号： | C01B33/00;C30B29/46;C30B9/04;G02F1/355 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物硫硅镉锂和硫硅镉锂红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的化学式为Li2CdSiS4，分子量为282.61，为硫硅镉锂粉末纯样；该晶体的化学式为Li2CdSiS4，分子量为锌，非中心对称结构单晶，晶系为正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数a=7.611(3)Å，b=6.793(2)Å，c=6.304(2)Å，Z=2，单胞体积V=325.90（19）Å3。采用在真空条件下进行固相反应法和高温熔融‑自发结晶法制备粉末纯样和晶体；本发明中所述的硫硅镉锂红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合；在2090nm的激光下，倍频效应是AgGaS2的1倍；获得毫米级晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 硫硅 红外非线性光学晶体 制备方法和应用 非中心对称结构 固相反应法 倍频效应 高温熔融 晶胞参数 真空条件 正交晶系 自发结晶 毫米级 晶体的 空间群 锂粉末 单胞 单晶 晶系 激光 吻合 | ||
【主权项】：
1.一种化合物硫硅镉锂，其特征在于该化合物的化学式为Li2CdSiS4，分子量为282.61，为硫硅镉锂粉末纯样。
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- 一种SiCO微米级草莓状陶瓷球的制备方法，涉及一种微米陶瓷。将0.8g模板剂F127溶解在5ml二甲苯溶液中，搅拌后得混合液A；将0.8g的陶瓷先驱体聚乙烯基硅氮烷溶解在5ml乙醇中，加入0.032g的热交联剂过氧化二异丙苯，搅拌后得混合液B；将混合液A和混合液B混合，搅拌后混合液C；将混合液C倒在聚四氟乙烯盘上，在80℃的烘箱中保温,然后130℃交联后，变为淡黄色透明薄膜，取出后脱膜，然后在惰性气氛中热解薄膜，在薄膜表面获得SiCO微米级草莓状陶瓷球。制备的SiCO微米陶瓷球的直径为2～10μm，且稳定性好。在复合材料以及高温器件设计等领域应用。设备投资少，操作容易，工艺简单，重复性好。
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- 俞海云;闫勇;郑翠红 - 马鞍山泓宇材料科技有限公司
- 2014-03-23 - 2014-07-09 - C01B33/00
- 本发明提供一种利用稻壳灰生产聚硅硫酸铁的方法，属于农业作物废弃物综合利用技术领域。本发明中首先通过碱热处理稻壳灰，然后对其过滤得到碱性含有大量硅酸钠的滤液，在通空气搅拌条件下，向其中按比例加入一定量的钛白粉生产的副产物硫酸亚铁，加热反应一段时间，最终生成具有絮凝作用的聚硅硫酸铁。
- 微波碳热还原法合成锂离子电池正极材料-201310655464.1
- 孙永平 - 孙永平
- 2013-11-30 - 2014-03-26 - C01B33/00
- 本发明公开了一种微波碳热还原法合成锂离子电池正极材料，称取Li2CO3、Fe(OH)3、SiO2和15～20％质量的聚乙烯醇，以无水乙醇为介质球磨5～7小时，球磨干燥后的混合物料在氮气气氛中380℃下预烧5小时，然后再与碳黑混合均匀后压制成圆片，转移至刚玉坩埚中，置于微波炉中进行反应，采用氮气保护进行微波合成，加热结束后自然冷却至常温。本发明的有益效果为：采用微波碳热还原法制备的锂离子正极材料，该工艺快速、简便、高效，获得的产物纯度高、结晶良好，具有较小的颗粒尺寸，显示出了良好的电化学性能。
- 抗氧化陶瓷用棒状Si2N2O粉体及其制备方法-201210211421.X
- 刘茜;周遥;周虎;庄建东 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2012-06-25 - 2014-01-15 - C01B33/00
- 本发明提供了一种高强高韧抗氧化陶瓷用棒状Si2N2O原料粉体及其制备方法。本发明的制备方法将碳热还原氮化工艺与纳米浇注技术结合，具体包括如下步骤：1）利用有序介孔二氧化硅为主原料，有机小分子化合物为碳源，氧化钇作为反应催化剂，通过纳米浇注制得介孔碳/氧化硅/氧化钇复合物；2）将介孔碳/氧化硅/氧化钇复合物进行碳热还原氮化制得含碳Si2N2O复合粉体；3）将含碳Si2N2O复合粉体在空气中煅烧除去残留碳，冷却得到Si2N2O复合粉体。本发明高强高韧抗氧化陶瓷用棒状Si2N2O原料粉体可用于制备具有一定韧性的、高强、抗氧化热防护陶瓷材料，可广泛应用于航天、冶金及化工等领域。
- 加工玻璃喷墨片的装置-201220737262.2
- 赵裕兴;狄建科;益凯劼 - 苏州德龙激光股份有限公司
- 2012-12-28 - 2013-07-24 - C01B33/00
- 本实用新型涉及加工玻璃喷墨片的装置，激光器发出的激光经过光闸控制开关光，经过扩束镜对光束进行同轴扩束，扩束后光束经45度半透半反镜，光路垂直改向；光束经3D动态扫描振镜以及聚焦镜聚焦在工件的下表面；控制系统将切割图形转化为数字信号，驱动3D动态扫描振镜中的反射镜片扫描加工图形，同轴CCD在加工开始前对工件进行精确定位，利用抓靶程序抓取工件上的定位标志，计算补偿值，实现切割图形和实际切割道的精确匹配；加工开始后，吹气装置和集尘装置开始工作，将切割残渣排除；加工时3D动态扫描振镜自动将焦点提升，由下往上切割玻璃加工玻璃直至完全切穿。易于加工复杂型面、微细表面，易获得良好的切割截面质量。
- 一种制备含铝层状水羟硅钠石的方法-201210009237.7
- 毕云飞;李洪宝;李明丰;杨清河;夏国富;聂红;李大东 - 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
- 2012-01-13 - 2013-07-17 - C01B33/00
- 一种制备含铝层状水羟硅钠石的方法，包括：(1)将硅溶胶与水合氧化铝或水合氧化铝与水的浆液混合，混合物在室温下搅拌20-180分钟；(2)在室温并搅拌下，向步骤(1)得到的混合物中引入选自氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或几种碱的溶液；(3)步骤(2)得到的混合物在130℃-170℃的密闭的反应器内晶化24-170小时；(4)水洗步骤(3)得到的固体产物至滤液为透明液体，得到含铝层状水羟硅钠石。与现有的含铝水羟硅钠石相比较，采用本发明的方法制备得到的含铝水羟硅钠石的铝含量高、晶相纯。此外，本发明提供的方法的反应条件温、周期短，且不用引入有机物。
- 用于硅提纯的萤石/碘化物工艺-201180050133.4
- 马太·詹姆斯·钱农 - 硅化学有限公司
- 2011-09-30 - 2013-06-26 - C01B33/00
- 用于从低等级硅土萤石矿石、三氧化硫气体和金属碘化盐生产熔融提纯晶体硅的方法和装置。方法涉及：（1）最初使含二氧化硅的萤石矿石与三氧化硅气体在硫酸中反应以产生四氟化硅气体和氟石膏；（2）将产品气体与加热的碘化盐反应以形成氟化盐和四氟化硅；（3）将四碘化硅从杂质中分离出来并通过洗涤步骤进行提纯，并在一系列精馏塔中进行精馏；（4）在硅晶体铸造机中将四氟化硅加热至其分解温度，生产出用于结晶的纯熔融硅金属；以及纯碘气体，其在冷墙室中提取为液体。本系统是采用连续部件批量处理的。系统主要在大气压力下操作，在批次改变过程中需要有限的惰性气体清洗。
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