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[发明专利]从氯硅烷混合物中除去杂质的方法-CN201980102522.3在审
发明人：延斯·费利克斯·克诺特;塞巴斯蒂安·博赫曼;乌韦·佩特佐尔德;塞巴斯蒂安·普罗斯特 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种从包含至少一种氯硅烷和/或有机氯硅烷和至少一种选自硼化合物、磷化合物、砷化合物和锑化合物的杂质的混合物中至少部分去除杂质的方法，该方法包括以下步骤：a)使液体混合物与结构通式(I)的用酰胺肟官能化的载体材料接触，其中CAR＝载体材料，和R1、R2彼此独立地为H、烷基、烯基、芳基、烷基芳基；b)任选除去所述官能化的载体材料。
硅烷混合物除去杂质方法

[实用新型]一种制备三氯氢硅的合成炉-CN202120203751.9有效
发明人：陈建祥;秦小勇;陈鹏飞;陈军峰 -专利权人：河南尚宇新能源股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本实用新型属于化工技术领域，具体地涉及一种制备三氯氢硅的合成炉，包括炉体、散料装置、过滤机构和螺旋输送机，炉体的顶部设有加料口和出气口，且炉体的底部设有排渣口和进气口，进气口连接有气体管道，炉体内设有温度计和多孔布风板，散料装置包括转轴和减速电机，转轴与减速电机传动连接，转轴的周围设有多块散料板，过滤机构包括过滤箱和过滤器，过滤箱的顶部设有投料口，且过滤箱的底部设有排料口，过滤箱内设有过滤筛网，过滤筛网的底部设有振打电机，过滤器设置在气体管道上，过滤器的内部设有填充料，螺旋输送机的进料口与过滤箱的排料口相连，螺旋输送机的出料口与炉体的加料口相连。本装置能够提高三氯氢硅的收率。
一种制备三氯氢硅合成

[实用新型]一种高纯度四氟化硅分离提纯设备-CN201921631223.2有效
发明人：严江有;燕如勇;何学;杨旺海 -专利权人：福建瓮福蓝天氟化工有限公司
申请日： 2019-09-28 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了涉及四氟化硅分离提纯设备技术领域，具体为一种高纯度四氟化硅分离提纯设备，包括干燥除尘设备，干燥除尘设备呈L字形的管道结构，干燥除尘设备的左下端设置有贯穿内外的漏孔，漏孔的下端匹配安装有集尘盒，集尘盒的右端上表面一体设置有下方支撑滤板，下方支撑滤板的左侧面活动贴合有下方棉垫。本实用新型中设置有双重过滤杂质的棉垫，过滤杂质和去除湿气的效果较好，可提高四氟化硅的分离提纯纯度；本实用新型中集尘盒结构设计合理，集尘盒跟过滤除湿组件一体设置，方便拆装和清理，实用性强；本实用新型中集尘盒可快速进行拆装，方便使用，集尘盒可收集杂质和水，起到了提高四氟化硅的分离提纯纯度的作用。
一种纯度氟化分离提纯设备

[发明专利]金属硅化物的表面改性方法、利用表面改性的金属硅化物的三氯硅烷的制备方法及装置-CN201580005699.3有效
发明人：崔源春;朴容起;李右炯;徐辉旼;姜拏永;韩柱熙;李东昊;安贵龙;金吉浩 -专利权人：韩国化学研究院;韩华石油化学株式会社
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的三氯硅烷的制备方法包括向反应部供给表面改性的金属硅化物和冶金级硅的步骤；向所述反应部供给四氯硅烷和氢的步骤；以及，将在所述反应部内，在所述金属硅化物的存在下，由冶金级硅、四氯化硅烷和氢之间的反应生成的生成物，供给到分离部，分离三氯硅烷成分的步骤。利用根据本发明实施例的三氯硅烷的制备方法进行四氯硅烷氢氯化反应时，能够提高三氯硅烷的收率。
金属硅表面改性方法利用硅烷制备装置

[发明专利]减少氢氯硅烷生产中的腐蚀和结垢-CN201480000480.X有效
发明人：施泰因·朱尔斯鲁德;安雅·O·肖斯塔 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明公开减少氢氯硅烷生产设备中硅化铁和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法。向四氯化硅工艺流中添加足量的氢以抑制氯化铁(II)形成和减少硅化铁和/或磷化铁结垢、过热器腐蚀或其组合。还可以向所述四氯化硅工艺流中添加三氯硅烷。
减少硅烷生产中的腐蚀结垢

[发明专利]利用连续管状反应器制备氯硅烷气体的方法-CN201580024938.X在审
发明人：金庾锡;金正奎;柳振炯;李正雨;张银洙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种以有效的方式由四氯硅烷制备三氯硅烷的设备。该设备包括入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。
利用连续管状反应器制备硅烷气体方法

[发明专利]一种制备三氯硅烷的方法-CN201480004450.6有效
发明人：金吉浩;安贵龙;李元翼;金俊焕;赵景薰 -专利权人：韩化石油化学株式会社
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备三氯硅烷的方法。根据本发明的制备三氯硅烷的方法，使用形成了铜的硅化物的硅可以改进的产率得到三氯硅烷。
一种制备硅烷方法

[发明专利]一种高纯度四氯化硅提纯方法-CN201410011907.8无效
发明人：殷万朋;许超;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：北京国辰华星科技有限责任公司
申请日： 2014-01-12 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤、光伏、半导体及其他科研领域用的高纯度四氯化硅的提纯技术，具体步骤如下：步骤1、以工业级四氯化硅为原料进料，经第一个精馏塔加压精馏，塔顶采出的低沸物进入低沸物储罐；步骤2、将步骤1得到的塔釜采出物经第二个精馏塔加压精馏，塔釜采出的高沸物，进入高沸物储罐；步骤3、将步骤2得到的塔顶采出物经第三个精馏塔加压精馏，塔釜采出物，回到第二个精馏塔，循环提纯；步骤4、将步骤3得到的塔顶采出物经第四个精馏塔加压精馏，塔顶采出物进入高沸物储罐；步骤5、将步骤4得到的塔釜采出物经第五个精馏塔加压精馏，塔釜采出物进入高沸物储罐，塔顶采出物即为质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅产品。
一种纯度氯化提纯方法

[发明专利]中等链长的聚硅烷及其制备方法-CN201180031813.1无效
发明人：诺伯特·奥尼尔;克里斯蒂安·鲍赫;鲁门·德尔特舍维;斯文·霍尔;加瓦德·莫赫森尼 -专利权人：斯帕恩特私人有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及中等链长的聚硅烷，其为纯化合物或化合物的混合物，在每种情况下所述化合物具有至少一个直接的Si-Si键，所述聚硅烷的取代基仅由卤素和/或氢构成，其中等链长度n大于3并且小于50，优选大于3并且小于9，特别优选大于3并且小于7，并且其组成中的取代基∶硅的原子比例为至少1∶1。本发明还涉及其制备方法。
中等硅烷及其制备方法

[发明专利]玻璃加工方法-CN201110294230.X有效
发明人：汤海林;彭信翰;杨伟 -专利权人：深圳市木森科技有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：一种玻璃加工方法，包括如下步骤：提供一激光束；所述激光束在玻璃的加工表面沿着切割线形成一个切割槽，所述切割线为螺旋线；随着所述切割槽的深度加大，所述激光束的焦点相对于所述切割槽的底部下降。上述玻璃加工方法控制激光束沿着切割线形成一个切割槽，切割线为螺旋线，随着切割面的下降，焦点会随着一同下降，即焦点始终位于切割面上，从而加深切割槽的深度。因此，上述玻璃加工方法可加工厚度较大的玻璃。并且，整个螺旋线作为一条曲线，切割过程中激光从起始点开激光直到终止点结束，无需频繁开关激光，即提高的切割效率，又可避免的起点终点位置因为延迟参数问题造成起点爆点问题，提高了切割的质量。
玻璃加工方法

[发明专利]熔盐中的络合前驱体盐的高温分解-CN201180031866.3无效
发明人：安杰尔·桑贾乔;罗凯洪;马尔科·霍恩博斯特尔;谢晓兵;洛伦茨·莫罗;霍尔迪·佩雷斯·马里亚诺;戈帕拉·N·克里希南 -专利权人： SRI国际公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：在一个实施方式中，本公开案通常涉及一种用于热分解络合前驱体盐的方法。在一个实施方式中，所述方法包括以下步骤：加热反应器中的盐直到形成熔盐；将络合前驱体盐添加到反应器中的熔盐；及从反应器中移除由络合前驱体盐的热分解形成的挥发性前驱体卤化物。
中的络合前驱高温分解

[发明专利]光纤用四氯化硅制备方法-CN200910243899.9无效
发明人：苏小平;王铁艳;袁琴;毛威;刘福财;莫杰;武鑫萍 -专利权人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤用四氯化硅制备方法。它以多晶硅生产过程中产生的高沸点四氯化硅为原料，以不活泼或惰性气体作为保护气氛，在光照的情况下，通入氯气，使三氯氢硅在精馏塔内进行光化反应，同时控制塔釜温度和塔顶温度，选择合适的回流比取料，得到中间产品。将中间产品进一步精馏提纯，得到高纯四氯化硅，其含氢杂质的红外透过率满足光纤用四氯化硅对杂质透过率的要求，金属离子的含量满足光纤用四氯化硅的金属含量标准。本发明优点是：对于去除与和四氯化硅沸点较为接近三氯氢硅极为有效，降低四氯化硅中含氢杂质和金属杂质含量，使得经过本工艺提纯制备的四氯化硅，质量完全满足光纤产品的需要，且反应进行的条件、完全程度较易控制，不会引入其它杂质，可以较为有效和经济的方式以工业规模进行。
光纤氯化制备方法

[发明专利]用于纯化四氟化硅的方法-CN200880108027.5有效
发明人：维塔尔·雷万卡尔;贾米勒·伊布拉希姆 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明提供通过使源气体进行一个或多个纯化工艺来纯化四氟化硅源气体的方法，所述纯化工艺包括：将四氟化硅源气体与离子交换树脂接触以除去酸性杂质、将四氟化硅源气体与催化剂接触以除去一氧化碳、通过使用吸收液除去二氧化碳，以及通过低温蒸馏除去惰性化合物；本发明还提供适合从四氟化硅源气体中除去一氧化碳的催化剂和用于制备这样的催化剂的方法。
用于纯化氟化方法

[实用新型]一种精制TiCl₄过程中回收SiCl₄的装置-CN200720174276.7无效
发明人：梁强;覃岗;金芳荣;龚仕成 -专利权人：遵义钛业股份有限公司
申请日： 2007-12-15 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：一种精制TiCl₄过程中回收SiCl₄的装置，它由蒸镏釜、精镏塔、冷凝器、收集罐、回流槽几部份组成，各部份由管道相连接，蒸镏釜内设有加热元件，下端设有放渣口，精镏塔上设有进料口和出料口、蒸汽管、回流管，设备结构简单，制作成本低，提取SiCl₄的效果好，废物回收利用增加了经济效益，减少了SiCl₄废气对环境的污染。
一种精制 ticl sub 过程回收 sicl 装置

[发明专利]光纤级高纯度四氯化硅生产方法-CN200510015848.2无效
发明人：张严 -专利权人：天津市茂通精细化工技术有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：本发明属于化学试剂制备方法领域。光纤级高纯度四氯化硅生产方法，包括以下步骤：采用工业级的四氯化硅作为原料，经第一次精馏，水处理，第二次精馏，再经充装工艺后获得光纤级高纯四氯化硅。光纤级高纯四氯化硅的进口价格大约在每吨5万美金，采用本方法可以大大降低此价格。实现四氯化硅的国产化、进一步降低光纤的生产成本，也是光纤制造业发展的必经之路。
光纤纯度氯化生产方法

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