[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 201910176785.0 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN111223819A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 施信益 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋洋;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基底、一晶粒、一封胶、一介电层、一导电通孔以及一金属条带。该晶粒设置在该基底的上方。该封胶围绕该晶粒。该介电层设置在基底的上方并且围绕该晶粒和该封胶。该导电通孔延伸穿过该介电层。该金属条带延伸穿过该介电层并沿该介电层延伸,以至少部分地围绕该晶粒。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910176785.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:后部报警传感器组件
- 下一篇:一种双磁屏的霍尔推力器