[发明专利]半导体结构与其制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，预结构子层的厚度在100～400nm之间；刻蚀步骤，在沉积步骤之后，刻蚀步骤为在一个预结构子层的厚度或者多个预结构子层的总厚度大于400nm的情况下，对厚度大于400nm的一个预结构子层进行退火或者对总厚度大于400nm的多个预结构子层进行刻蚀，至少一个刻蚀步骤使得刻蚀后的各预结构子层在基底表面的投影重合；退火步骤，刻蚀步骤后有一个退火步骤。该制作方法得到的半导体结构中的结构层的裂纹较少。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，其特征在于，所述结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，各所述沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，各所述预结构子层的厚度在100～400nm之间，且各所述预结构子层的材料相同且材料的应力大于1GPa；至少一个刻蚀步骤，在一个或者多个所述沉积步骤之后，所述刻蚀步骤为在一个所述预结构子层的厚度或者多个所述预结构子层的总厚度大于400nm的情况下，对厚度大于400nm的一个所述预结构子层进行退火或者对总厚度大于400nm的多个所述预结构子层进行刻蚀，至少一个所述刻蚀步骤使得刻蚀后的各所述预结构子层在所述基底表面的投影重合；退火步骤，所述退火步骤的个数大于或者等于所述刻蚀步骤的个数，各所述刻蚀步骤后有一个所述退火步骤，所述退火步骤为所述预结构子层或者刻蚀后的所述预结构子层进行退火，经过所述刻蚀步骤和所述退火步骤，各所述预结构子层变为结构子层。