[发明专利]半导体工艺方法在审
| 申请号： | 201910085468.8 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110634745A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张家敖;余德伟;陈建豪;卢永诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例一般而言涉及例如在高深宽比沟槽中形成一结构。在一实施例中，提供一种半导体工艺方法。此方法包括在一基板上形成多个鳍片。鳍片的侧壁和鳍片的侧壁之间的一底表面在鳍片之间界定一沟槽。此方法包括在鳍片之上形成一栅极结构。栅极结构具有一侧壁，侧壁中形成有一缺陷区。此方法包括形成一填充层以填充栅极结构的侧壁中的缺陷区。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 侧壁 栅极结构 缺陷区 半导体工艺 高深宽比 填充层 基板 界定 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺方法，所述方法包括：/n在一基板上形成多个鳍片，所述鳍片的侧壁和所述鳍片的侧壁之间的一底表面在所述鳍片之间界定一沟槽；/n在所述鳍片之上形成一栅极结构，所述栅极结构具有一侧壁，所述侧壁具有一缺陷区形成于所述侧壁中；以及/n形成一填充层，以在所述栅极结构的侧壁中填充所述缺陷区。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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