[发明专利]半导体封装件的溅镀方法有效
| 申请号： | 201910036697.0 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109767993B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王杰;黄浈;张超;柳燕华 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/04 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 苏婷婷 |
| 地址： | 214430 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体封装件的溅镀方法，包括：S1、提供半成型封装体及UV膜，半成型封装体包括：基体及设置于基体一侧的导电端子；UV膜至少包括：透光的基底层以及连接于基底层的粘结层；S2、结合半成型封装体和UV膜，粘结层完全包覆导电端子；S3、切割半成型封装体而形成若干单体；S4、对UV膜做扩片处理，以增大相邻单体之间的间距；S5、在单体的至少部分外表面溅镀金属层而形成半导体封装件；S6、将半导体封装件脱离UV膜。本发明的半导体封装件的溅镀方法采用UV膜辅助保护导电端子，以辅助完成对半成型封装体的溅镀，不仅满足了侧面溅镀的均匀性，同时使用UV膜直接做溅镀，减少了转移产品的步骤，节约成本，提升封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，包括：S1、提供半成型封装体及UV膜，所述半成型封装体包括：基体及设置于所述基体一侧的导电端子；所述UV膜至少包括：透光的基底层及连接于所述基底层的粘结层；S2、结合所述半成型封装体和所述UV膜，所述粘结层完全包覆所述导电端子；S3、切割所述半成型封装体而形成若干单体；S4、对所述UV膜做扩片处理，以增大相邻单体之间的间距；S5、在所述单体的至少部分外表面溅镀金属层而形成半导体封装件；S6、将半导体封装件脱离UV膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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