[发明专利]半导体封装件的溅镀方法有效
| 申请号： | 201910036697.0 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109767993B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王杰;黄浈;张超;柳燕华 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/04 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 苏婷婷 |
| 地址： | 214430 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 | ||
1.一种半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，包括：
S1、提供半成型封装体及UV膜，所述半成型封装体包括：基体及设置于所述基体一侧的导电端子；所述UV膜至少包括：透光的基底层及连接于所述基底层的粘结层；
S2、结合所述半成型封装体和所述UV膜，所述粘结层完全包覆所述导电端子；
S3、切割所述半成型封装体而形成若干单体；
S4、对所述UV膜做扩片处理，以增大相邻单体之间的间距；
S5、在所述单体的至少部分外表面溅镀金属层而形成半导体封装件；
S6、将半导体封装件脱离UV膜。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，步骤S4之前，所述方法还包括：
至少在相邻单体之间位置切割粘结层，并使得至少部分基底层连接。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，步骤S4具体包括：采用扩片设备对所述UV膜进行机械扩片。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，
所述UV膜还包括：设置于所述基底层和所述粘结层之间且透光的膨胀层；
步骤S4还包括：使所述膨胀层膨胀作用所述UV膜而辅助所述UV膜扩展。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，步骤“使所述膨胀层膨胀作用所述UV膜而辅助所述UV膜扩展”具体包括：加热所述UV膜而使得UV膜中的膨胀层膨胀并作用所述基底层扩展。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，所述UV膜还包括：连接于所述粘结层远离所述基底层一侧的保护层；
所述步骤S2还包括：去除粘结层上的保护层后，再结合所述半成型封装体和所述UV膜。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：紫外照射UV膜而使得半导体封装件脱离UV膜。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，步骤S5具体包括：在所述单体远离所述导电端子的外表面全部溅镀金属层而形成半导体封装件。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，所述导电端子为设置于所述基体一侧的导电引脚或焊球。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件的溅镀方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：提供一ring环，所述ring环为环状金属框架；
所述步骤S2还包括：将UV膜固定在所述ring环上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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