[发明专利]半导体封装件的溅镀方法

说明书

本发明提供了一种半导体封装件的溅镀方法，包括：S1、提供半成型封装体及UV膜，半成型封装体包括：基体及设置于基体一侧的导电端子；UV膜至少包括：透光的基底层以及连接于基底层的粘结层；S2、结合半成型封装体和UV膜，粘结层完全包覆导电端子；S3、切割半成型封装体而形成若干单体；S4、对UV膜做扩片处理，以增大相邻单体之间的间距；S5、在单体的至少部分外表面溅镀金属层而形成半导体封装件；S6、将半导体封装件脱离UV膜。本发明的半导体封装件的溅镀方法采用UV膜辅助保护导电端子，以辅助完成对半成型封装体的溅镀，不仅满足了侧面溅镀的均匀性，同时使用UV膜直接做溅镀，减少了转移产品的步骤，节约成本，提升封装效率。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装件的溅镀方法。

背景技术

半导体溅镀过程中，需要将焊球进行保护，以避免溅镀过程中溅镀的金属层与焊球导通而发生短路。现有技术解决该问题的方案为：

步骤1：将包封过后的整条产品压在第一保护膜上，第一保护膜可以保护背部引脚或锡球，以防止溅镀时镀到背部引脚或锡球；

步骤2：将整条产品切割成单颗产品；

步骤3：将单颗产品转移至PI膜上，并呈一定间距的阵列排布至PI膜上；

步骤4：在步骤3的完成的单颗产品顶面和四周侧面溅镀金属层；

步骤5：剥离溅镀后的单颗产品上的PI膜；

步骤6：在第一保护膜上粘贴粘度更高的第二保护膜，以通过第二保护膜使第一保护膜脱离溅镀后的单颗产品。

上述现有技术的流程较复杂，且各个步骤缺一不可，费时费力，且导致成本增加，另外，通过上述方案获得的产品侧面溅镀品质较差，从而难以满足用户需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体封装件的溅镀方法。

为了实现上述发明目的，本发明提供了一种半导体封装件的溅镀方法，包括：

S1、提供半成型封装体及UV膜，所述半成型封装体包括：基体及设置于所述基体一侧的导电端子；所述UV膜至少包括：透光的基底层及连接于所述基底层的粘结层；

S2、结合所述半成型封装体和所述UV膜，所述粘结层完全包覆所述导电端子；

S3、切割所述半成型封装体而形成若干单体；

S4、对所述UV膜做扩片处理，以增大相邻单体之间的间距；

S5、在所述单体的至少部分外表面溅镀金属层而形成半导体封装件；

S6、将半导体封装件脱离UV膜。

作为本发明一实施方式的进一步改进，步骤S4之前，所述方法还包括：

至少在相邻单体之间位置切割粘结层，并使得至少部分基底层连接。

作为本发明一实施方式的进一步改进，步骤S4具体包括：采用扩片设备对所述UV膜进行机械扩片。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述UV膜还包括：设置于所述基底层和所述粘结层之间且透光的膨胀层；

步骤S4还包括：使所述膨胀层膨胀作用所述UV膜而辅助所述UV膜扩展。

作为本发明一实施方式的进一步改进，步骤“使所述膨胀层膨胀作用所述UV膜而辅助所述UV膜扩展”具体包括：加热所述UV膜而使得UV膜中的膨胀层膨胀并作用所述基底层扩展。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述UV膜还包括：连接于所述粘结层远离所述基底层一侧的保护层；