[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880090891.0 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111886680A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;菅原胜俊;福井峪;八田英之;宫田祐辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 漂移层(2)由碳化硅构成，具有第1导电型。主体区域(5)在漂移层(2)上设置，具有第2导电型。源区域(3)在主体区域(5)上设置，具有第1导电型。栅绝缘膜(10)设置于将源区域(3)和主体区域(5)贯通的至少一个沟槽(6)的各自的内壁。保护层(7)至少具有位于沟槽(6)的下方的部分，与漂移层(2)接触，具有第2导电型。就第1低电阻层(8)而言，与沟槽(6)及保护层(7)接触，在深度方向上跨越沟槽(6)与保护层(7)之间的边界部(BD)，具有第1导电型，具有比漂移层(2)高的杂质浓度。就第2低电阻层(9)而言，与第1低电阻层(8)接触，远离沟槽(6)，具有第1导电型，具有比第1低电阻层(8)高的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
