[发明专利]用于实现具有闪存存储器的可配置的卷积神经网络的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201880059542.2 申请日: 2018-08-22
公开(公告)号: CN111095553B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: V·蒂瓦里;N·多 申请(专利权)人: 硅存储技术股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/04;H01L27/07;H10B53/30;H10B41/00;H01L29/02;G11C7/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开提供了一种具有按行和列布置的存储器单元的存储器阵列。每个存储器单元包括:源极区和漏极区,其中沟道区位于该源极区和漏极区之间;设置在第一沟道区部分上方的浮栅;以及设置在第二沟道区部分上方的第二栅极。多条位线各自沿着该列中的一列延伸并且电连接到该列中的存储器单元中的第一组一个或多个存储器单元的漏极区,并且与该列中的存储器单元中的第二组一个或多个存储器单元的漏极区电隔离。多条源极线各自电连接到该列或该行中的一者中的存储器单元的源极区。多条栅极线各自电连接到该列或该行中的一者中的存储器单元的第二栅极。
搜索关键词: 用于 实现 具有 闪存 存储器 配置 卷积 神经网络 系统 方法
【主权项】:
暂无信息
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