[发明专利]薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物在审
申请号: | 201880043465.1 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN110799665A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 西田章浩;冈田奈奈;大江佳毅 | 申请(专利权)人: | 株式会社ADEKA |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C07F17/00;C23C16/18;H01L21/316;C07F7/28 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于,提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的,本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中,X表示卤素原子,R表示碳原子数1~5的伯烷基或仲丁基。] | ||
搜索关键词: | 薄膜形成 式( 1 ) 新型化合物 薄膜 烷基 卤素原子 碳原子数 生产性 仲丁基 搬运 制造 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜形成用原料,其含有通式(1)所示的化合物,/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社ADEKA,未经株式会社ADEKA许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880043465.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物-201880043465.1
- 西田章浩;冈田奈奈;大江佳毅 - 株式会社ADEKA
- 2018-05-17 - 2020-02-14 - C23C16/32
- 本发明的目的在于,提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的,本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中,X表示卤素原子,R表示碳原子数1~5的伯烷基或仲丁基。]
- 化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置-201810694374.6
- 杨泰生;刘海林;霍艳丽;陈玉峰;唐婕;胡利明 - 中国建筑材料科学研究总院有限公司
- 2018-06-29 - 2020-01-14 - C23C16/32
- 本发明是关于一种化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,涉及碳化硅涂层制备技术领域。主要采用的技术方案为:化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置包括:腔体、支撑环、扰流体以及支撑部件;腔体的顶部设置有进气装置,腔体的底部设置有出气装置;支撑环的外侧壁与腔体的内壁连接,将腔体分割成中部连通的上腔体和下腔体;扰流体的一端设置在支撑环上,并沿支撑环到腔体顶部的方向设置,扰流体的数量大于等于三个;支撑部件设置在腔体的底部,用于支撑待沉积涂层的样品,并使样品位于下腔体中。本发明提供的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,能够在样品表面获得全沉积的碳化硅涂层。
- 一种CVD法碳化硅涂层的制备方法-201810213134.X
- 林培英;李啸;黄洪福;朱佰喜 - 深圳市志橙半导体材料有限公司
- 2018-03-14 - 2020-01-07 - C23C16/32
- 本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)启动沉积炉的加温箱,使温度达到100‑160℃;(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上,然后带动石墨基体旋转;(3)对沉积炉内抽真空,再充入氩气;如此循环多次;(4)启动炉腔加热系统,对沉积炉内进行加热,同时对沉积炉内进行抽真空,达到沉积温度后,保温一定时间,再充入氩气,使沉积炉内的压力达到40‑60Kpa,再抽真空;(5)将氢气、氩气以及烷烃通入加温箱中,并通入液态氯硅烷,进而将带有氯硅烷的混合气体通入到沉积炉内;(6)沉积完,停止输送氢气、氯硅烷以及烷烃,保持氩气的输送,对沉积炉进行冲洗和降温,然后充气,打开炉体,取出带有碳化硅涂层的石墨工件。
- 用于气相沉积的三叔丁基铝反应剂-201610837765.X
- E·J·希罗;M·E·韦尔盖塞 - ASMIP控股有限公司
- 2016-09-20 - 2019-12-24 - C23C16/32
- 提供铝(Al)烃前驱组合物,其可用于过渡金属碳化物薄膜,例如掺铝过渡金属碳化物薄膜,诸如掺铝碳化钛薄膜的气相沉积。在一些实施方案中,所述前驱组合物包含三叔丁基铝(TTBA)的一种或多种异构体。具体来说,在一些实施方案中,所述前驱组合物包含至少70%TTBA的异构体1,其中异构体1具有式Al(叔丁基)
- 一种基于人工智能的硬质合金基体金刚石涂层的制备方法-201911046771.3
- 朱雨;包国文;严肃静;范永娴 - 惠州市三航无人机技术研究院
- 2019-10-30 - 2019-12-17 - C23C16/32
- 本发明公开了一种基于人工智能的硬质合金基体金刚石涂层的制备方法,包括以下步骤:S1粗化硬质合金基体;S2镀碳化硅层;S3沉积金刚石涂层表面;S4成品金刚石涂层的硬质合金基体;本发明的有益效果是:利用质量分数25%的几丁聚糖酸溶液,不会使结构疏松而使镀层断裂;并且加粒子活度,达到涂层生长速度快的目的;利用天然金刚石作为转子,方便碱液与酸液配合快速去除钴地目的;采用混合有机清洁剂,丙酮溶解大部分有机物杂质,乙酸酸化有机物杂质,乙醇增加混合有机试剂的吸附性能,使丙酮能迅速溶解有机物杂质;通过混合磨粉,去除钴的同时在待镀层面上形成一层薄的碳化硅‑金刚石层,达到粘接牢固的目的。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的