[发明专利]TFT基板和具备TFT基板的扫描天线在审
| 申请号： | 201880039060.0 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110770882A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22 |
| 代理公司： | 11323 北京市隆安律师事务所 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | TFT基板(101A)具有：电介质基板(1)；以及多个天线单位区域(U)，其排列在电介质基板上，各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。TFT基板具有：栅极金属层(3)，其支撑于电介质基板，包含TFT的栅极电极(3G)；源极金属层(7)，其支撑于电介质基板，包含TFT的源极电极(7S)；TFT的半导体层(5)，其支撑于电介质基板；栅极绝缘层(4)，其形成于栅极金属层与半导体层之间；以及平坦化层(14)，其形成于栅极绝缘层上，由有机绝缘材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质基板 栅极金属层 栅极绝缘层 半导体层 支撑 有机绝缘材料 源极金属层 单位区域 漏极电极 平坦化层 贴片电极 源极电极 栅极电极 电连接 天线 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板，具有：电介质基板；以及多个天线单位区域，其排列在上述电介质基板上，各自具有TFT和电连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极，上述TFT基板的特征在于，具有：/n栅极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的栅极电极；/n源极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的源极电极；/n上述TFT的半导体层，其支撑于上述电介质基板；/n栅极绝缘层，其形成于上述栅极金属层与上述半导体层之间；以及/n平坦化层，其形成于上述栅极绝缘层上，由有机绝缘材料形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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