[发明专利]金刚石半导体器件在审
| 申请号： | 201880019196.5 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110431670A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 格丽斯·安德鲁·泰勒 | 申请（专利权）人： | 艾文斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 英国纽*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开一种电气器件(2)。所述器件包括金刚石材料的基板(4)和延伸到基板中相应凹部(6)中的细长金属突起(18)。设置在相应突起和所述基板之间的掺杂半导体层(14)在所述突起和所述基板之间施加电场时表现为n型半导体材料，适于在所述半导体层内产生正空间电荷区域。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 突起 掺杂半导体层 金刚石半导体 金刚石材料 正空间电荷 电场 半导体层 电气器件 金属突起 凹部 施加 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种电气器件，包括：金刚石材料基板；至少一个细长的第一导电部分，其延伸到所述基板中的相应凹部中；和至少一个掺杂半导体区域，其设置在至少一个相应的所述第一导电部分和所述基板之间，并且配置为在施加电场时，在所述第一导电部分和所述基板之间表现为n型半导体材料，适于在所述半导体区域内产生正空间电荷区域；其中至少一个凹部还包括至少一个限定尖端的倾斜末端表面，其中至少一个掺杂半导体区域设置在相应的倾斜末端表面上。
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