[发明专利]AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法有效
| 申请号： | 201880018464.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110431259B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 宇治原彻;竹内幸久;塩尻大士;松本昌树;齐藤广志;林育夫 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人名古屋大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C04B35/581;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。该AlN晶须的制造方法中，在材料收容部(1200)的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从连通部(1220)向反应室(1300)导入Al气体，并且从气体导入口(1320)向反应室(1300)导入氮气，使AlN晶须(100)从配置于反应室(1300)的内部的Al |
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| 搜索关键词： | aln 制造 方法 装置 结构 以及 树脂 成型 | ||
【主权项】：
1.一种AlN晶须的制造方法，其特征在于，在第1室的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从第1导入口向第2室导入所述Al气体，并且从第2导入口向所述第2室导入氮气，使AlN晶须从配置于所述第2室的内部的绝缘性基材的表面生长。
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