[发明专利]AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法

权利要求书

1.一种AlN晶须的制造方法，其特征在于，

在第1室的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，

从第1导入口向第2室导入所述Al气体，并且从第2导入口向所述第2室导入氮气，

使AlN晶须从配置于所述第2室的内部的绝缘性基材的表面生长。

2.根据权利要求1所述的AlN晶须的制造方法，其特征在于，

所述绝缘性基材为Al₂O₃基板、AlN多晶基板、Al₂O₃粒子和AlN粒子中的任一者。

3.根据权利要求1或2所述的AlN晶须的制造方法，其特征在于，

将使所述AlN晶须生长时的所述第2室的气氛温度设为1500℃～1800℃。

4.一种AlN晶须的制造装置，其特征在于，具有：

收容含Al材料的材料收容部，

使AlN晶须生长的反应室，

至少对所述材料收容部进行加热的第1加热部；

所述反应室具有1个以上的绝缘性基材，

所述第1加热部对收容于所述材料收容部的所述含Al材料进行加热，

在所述材料收容部与所述反应室之间具有将所述材料收容部和所述反应室连通的1个以上的连通部，

所述材料收容部的内压比所述反应室的内压高。

5.根据权利要求4所述的AlN晶须的制造装置，其特征在于，

具有对所述反应室进行加热的第2加热部。

6.根据权利要求4所述的AlN晶须的制造装置，其特征在于，

具有使所述1个以上的连通部的开口部为打开状态或关闭状态的开闭部。

7.根据权利要求4所述的AlN晶须的制造装置，其特征在于，

所述材料收容部从所述反应室来看配置于垂直下方侧的位置。

8.一种AlN晶须结构体，具有：

AlN粒子或Al₂O₃粒子，和

在所述AlN粒子或所述Al₂O₃粒子的表面与所述AlN粒子或所述Al₂O₃粒子连接的AlN晶须，

所述AlN晶须是由权利要求1～3中任一项所述的AlN晶须的制造方法得到的。

9.一种AlN晶须结构体，具有：

碳基材，

形成于所述碳基材的表面的AlN多晶或AlN粒子，和

在所述AlN多晶或所述AlN粒子的表面与所述AlN多晶或所述AlN粒子连接的AlN晶须，

所述AlN晶须是由权利要求1～3中任一项所述的AlN晶须的制造方法得到的。

10.一种AlN晶须，其特征在于，具有：

纤维状的AlN单晶，

覆盖所述AlN单晶的含氧原子层，和

覆盖所述含氧原子层的疏水层；

所述含氧原子层为通过所述AlN单晶至少吸收氧原子而生成的层，

所述疏水层具有烃基，

所述AlN晶须是由权利要求1～3中任一项所述的AlN晶须的制造方法得到的。

11.根据权利要求10所述的AlN晶须，其特征在于，

所述含氧原子层和所述疏水层通过酯键而键合。

12.根据权利要求10或11所述的AlN晶须，其特征在于，

所述含氧原子层含有Al₂O₃、AlON和Al(OH)₃中的至少一种。

13.根据权利要求10所述的AlN晶须，其特征在于，

所述含氧原子层的膜厚为7nm～500nm。