[发明专利]AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法

说明书

本发明的目的在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。该AlN晶须的制造方法中，在材料收容部(1200)的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从连通部(1220)向反应室(1300)导入Al气体，并且从气体导入口(1320)向反应室(1300)导入氮气，使AlN晶须(100)从配置于反应室(1300)的内部的Al₂O₃基板(1310)的表面生长。

技术领域

本说明书的技术领域涉及AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。

背景技术

电子设备类一般在使用时发热。这样的热有可能对电子设备的性能造成影响。因此，电子设备类大多设置有散热构件。另外，有时对散热构件要求绝缘性。因此，有时绝缘基板被用于电子设备。

作为绝缘基板，例如有时使用AlN基板。AlN兼备高热传导性和高绝缘性。但是，根据用途，AlN基板的韧性并不充分。因此，对于需要足够的脆性断裂强度的用途，兼备高热传导性和高绝缘性的材料是非常稀有的。

因此，本发明人等中的部分发明人研究开发了制造AlN晶须的方法(专利文献1)。AlN晶须为纤维状的材料。另外，AlN晶须具备高热传导性和高绝缘性。而且，通过在树脂材料中混合AlN晶须并固化，能够设计具备各种性能的复合材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－073951号公报

发明内容

如上所述，AlN晶须为绝缘性的材料。但是，以往的制造方法中，在回收AlN晶须时，有时Al粒子等金属混合在AlN晶须的束中。由于这样的杂质的混入，有可能损害AlN晶须的绝缘性。另外，由于原子半径不同的杂质被吸收至AlN晶体中，有时招致由晶体缺陷引起的热传导率的降低。

本说明书的技术是为了解决上述现有技术所具有的问题而作出的。其课题在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。

第1方式的AlN晶须的制造方法中，在第1室的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从第1导入口向第2室导入Al气体，并且从第2导入口向第2室导入氮气，使AlN晶须从配置于第2室的内部的绝缘性基材的表面生长。

该AlN晶须的制造方法中，将产生Al气体的第1室和使AlN晶须生长的第2室分开设置。然后，使AlN晶须从第2室的内部的绝缘性基材生长。因此，在回收所生长的AlN晶须时，不会有其它金属粒子混入AlN晶须的顾虑。

本说明书中，可提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的AlN晶须的结构的部分截面图。

图2是表示第1实施方式的AlN晶须的制造装置的简要构成的图。

图3是表示第2实施方式的AlN晶须结构体的结构的部分截面图。

图4是用于说明第2实施方式的AlN晶须结构体的制造方法的图(其1)。

图5是用于说明第2实施方式的AlN晶须结构体的制造方法的图(其2)。

图6是表示第3实施方式的AlN晶须的结构的部分截面图。

图7是示意性地表示第3实施方式的AlN晶须的内部结构的图。

图8是表示第4实施方式的树脂成型体的截面结构的图。