[发明专利]用于将配线插入到半导体芯片的沟槽中的方法以及用于实现该方法的设备有效

专利信息
申请号: 201880008903.0 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN110326100B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: E·阿伦;R·莱希奇克;P·阮;C·麦卡尼克 申请(专利权)人: 普利莫1D公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 舒雄文
地址: 法国格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于将配线(7a、7b)插入半导体芯片(1)的纵向沟槽中以进行其组装的方法,所述沟槽包含垫(6a、6b),所述垫由具有设定熔点的结合材料制成,所述方法包括:在定位步骤中,沿着所述沟槽将所述配线(7a、7b)的纵向区段放置成与所述垫(6a、6b)强制邻接;以及在插入步骤中,将包含所述垫(6a、6b)的至少一部分的区域暴露于高于所述结合材料的所述熔点的处理温度并且达足够的时间以使所述垫(6a、6b)至少部分熔化,并使所述配线(7a、7b)插入到所述沟槽中。本发明还涉及容许实施所述插入方法的设备。
搜索关键词: 用于 将配线 插入 半导体 芯片 沟槽 中的 方法 以及 实现 设备
【主权项】:
1.一种用于将配线(7a、7b)插入到半导体芯片(1)的纵向沟槽(2a、2b)中以进行其组装的方法,所述沟槽包含由结合材料制成的垫(6a、6b),所述结合材料具有设定熔点,所述方法包括:在定位步骤中,沿着所述沟槽(2a、2b)将所述配线(7a、7b)的纵向区段放置成与所述垫(6a、6b)强制邻接;在插入步骤中,将包含所述垫(6a、6b)的至少一部分的区域暴露于高于所述结合材料的所述熔点的处理温度并且达足够的时间以使所述垫(6a、6b)至少部分熔化,并使所述配线(7a、7b)插入到所述沟槽(2a、2b)中。
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