[发明专利]有源矩阵基板、液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法

摘要

一种有源矩阵基板，具备：基板、支撑于基板的TFT、以及覆盖TFT的无机绝缘层。TFT具有：设置于基板上的栅极电极、覆盖栅极电极的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及连接到氧化物半导体层的源极电极及漏极电极。栅极绝缘层包含第1氮化硅层和设置于第1氮化硅层上的第1氧化硅层。无机绝缘层包含第2氧化硅层和设置于第2氧化硅层上的第2氮化硅层。第1氮化硅层、第1氧化硅层、第2氧化硅层以及第2氮化硅层的厚度分别是275nm以上400nm以下、20nm以上80nm以下、200nm以上300nm以下、以及100nm以上200nm以下。

主权项

1.一种有源矩阵基板，具备：基板；多个薄膜晶体管，其支撑于上述基板；以及无机绝缘层，其覆盖上述多个薄膜晶体管，上述有源矩阵基板的特征在于，上述多个薄膜晶体管各自具有：栅极电极，其设置于上述基板上；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其设置于上述栅极绝缘层上，隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对；以及源极电极及漏极电极，其电连接到上述氧化物半导体层，上述栅极绝缘层包含第1氮化硅层和设置于上述第1氮化硅层上的第1氧化硅层，上述无机绝缘层包含第2氧化硅层和设置于上述第2氧化硅层上的第2氮化硅层，上述第1氮化硅层的厚度是275nm以上400nm以下，上述第1氧化硅层的厚度是20nm以上80nm以下，上述第2氧化硅层的厚度是200nm以上300nm以下，上述第2氮化硅层的厚度是100nm以上200nm以下。