[发明专利]有源矩阵基板、液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法

说明书

一种有源矩阵基板，具备：基板、支撑于基板的TFT、以及覆盖TFT的无机绝缘层。TFT具有：设置于基板上的栅极电极、覆盖栅极电极的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及连接到氧化物半导体层的源极电极及漏极电极。栅极绝缘层包含第1氮化硅层和设置于第1氮化硅层上的第1氧化硅层。无机绝缘层包含第2氧化硅层和设置于第2氧化硅层上的第2氮化硅层。第1氮化硅层、第1氧化硅层、第2氧化硅层以及第2氮化硅层的厚度分别是275nm以上400nm以下、20nm以上80nm以下、200nm以上300nm以下、以及100nm以上200nm以下。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板，特别是涉及具备氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。另外，本发明还涉及具备这种有源矩阵基板的液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板按每一像素具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；以下为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往广泛地使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下为“非晶硅TFT”)或以多晶硅膜为活性层的TFT(以下为“多晶硅TFT”)。

近年来，作为TFT的活性层的材料，提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅或多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。在专利文献1中公开了将In-Ga-Zn-O系半导体膜用于TFT的活性层的有源矩阵基板。

氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能以比非晶硅TFT快的速度动作。另外，氧化物半导体膜由比多晶硅膜简单的工艺形成，因此还能应用于需要大面积的装置。

专利文献2公开了将底栅型的氧化物半导体TFT覆盖的无机绝缘层具有层叠结构的构成。该无机绝缘层具体包含在下层侧配置的氧化硅层和在上层侧配置的氮化硅层，氮化硅层具有35nm～75nm的厚度。专利文献2中指出，通过这种构成，抑制了在非显示部配置的氧化物半导体TFT的动作不良。

另外，在专利文献2中还公开了将栅极电极覆盖的栅极绝缘层具有层叠结构的构成。具体地，公开了栅极绝缘层包含在下层侧配置的氮化硅层和在上层侧配置的氧化硅层的构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2012-134475号公报

专利文献2：国际公开第2014/080826号

发明内容

发明要解决的问题

但是，根据本申请的发明人的研究发现，当无机绝缘层和栅极绝缘层具有上述的层叠结构时，在母基板的面内会产生色感的不匀。其原因是，分别构成无机绝缘层和栅极绝缘层的各层(绝缘层)的厚度的面内不匀会被识别为干涉色(由多个绝缘层的光学干渉导致)的差异。实际上在制造液晶显示面板时，避免发生母基板的面内的绝缘层的厚度不匀是非常困难的。近年来，为了增加面获取数量(可从1个母玻璃获取到的基板数量)，母玻璃(母基板)的大型化不断发展，上述的色感的不匀随着母基板的尺寸变大而变得显著。

将色感在面内出现了较大不匀的母基板截断而制作出的液晶显示面板的色感会在面板之间和/或面板面内较大地不匀。专利文献2所公开的无机绝缘层的氮化硅层的厚度范围(35nm～75nm)是根据氧化物半导体TFT的电特性的观点设定的，无法抑制如上所述的色感的不匀。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于抑制制造液晶显示面板时的色感的不匀，上述液晶显示面板包含有源矩阵基板，上述有源矩阵基板具备氧化物半导体TFT和具有层叠结构的栅极绝缘层及无机绝缘层。

用于解决问题的方案