[实用新型]一种TFET器件有效
| 申请号： | 201822240052.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209374452U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种TFET器件，包括：半导体衬底层(1)、第一外延层(2)、第二外延层(3)、栅极层(4)、源区(5)、漏区(6)和压应变层(7)；其中，所述第二外延层(3)为脊状结构，所述栅极层(4)设置于所述第二外延层(3)脊状结构的顶面，所述压应变层(7)设置于所述第二外延层(3)脊状结构的台阶上表面且紧挨脊状部分，所述源区(5)和所述漏区(6)位于所述第二外延层(3)脊状结构的台阶内；本实用新型提供的TFET器件的载流子迁移率相比传统器件提高了数倍，从而提高了TFET器件的电流驱动与频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 脊状结构 本实用新型 压应变 栅极层 漏区 源区 半导体衬底层 载流子迁移率 台阶上表面 传统器件 电流驱动 频率特性 顶面 脊状 紧挨 | ||
【主权项】：
1.一种TFET器件，其特征在于，包括：半导体衬底层(1)、第一外延层(2)、第二外延层(3)、栅极层(4)、源区(5)、漏区(6)和压应变层(7)；其中，所述第一外延层(2)和所述第二外延层(3)依次设置于所述半导体衬底层(1)表面；所述第二外延层(3)为脊状结构，所述栅极层(4)设置于所述第二外延层(3)脊状结构的顶面，所述压应变层(7)设置于所述第二外延层(3)脊状结构的台阶上表面且紧挨脊状部分，所述源区(5)和所述漏区(6)位于所述第二外延层(3)脊状结构的台阶内。
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