[实用新型]一种微电子电容有效
| 申请号： | 201822063244.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN209487496U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 肖建辉;童红杰 | 申请（专利权）人： | 宁波爱芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北仑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种微电子电容，涉及半导体芯片领域，包括第一金属层、第二金属层和绝缘层，第一金属层和第二金属层位于绝缘层的两侧，并和绝缘层结合，第一金属层和第二金属层相对于绝缘层结构对应。本实用新型通过利用不同层金属之间的形成微电子电容来替换常规工艺中的PIP或者MIM电容，减少了掩膜版层数，降低了芯片成本，利用栅格结构，在减少掩膜版层次的同时，保证了电容的匹配精度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 绝缘层 第二金属层 第一金属层 微电子 本实用新型 掩膜版 半导体芯片 绝缘层结构 常规工艺 芯片成本 栅格结构 匹配 替换 金属 保证 | ||
【主权项】：
1.一种微电子电容，其特征在于，包括第一金属层、第二金属层和绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层位于所述绝缘层的两侧，并和所述绝缘层结合，所述第一金属层和所述第二金属层相对于所述绝缘层结构对应，所述第一金属层和所述第二金属层结构相同，所述第一金属层和所述第二金属层分别与所述绝缘层刻蚀结合，所述第一金属层和所述第二金属层被规则化刻蚀，所述第一金属层和所述第二金属层分别被刻蚀为栅格结构，所述栅格结构包括均匀分布的栅格，所述栅格结构之间的间距为工艺允许的最小间距。
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