[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201822028271.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209045541U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构，包括：堆叠结构，堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层晶圆或芯片包括衬底和布线层，布线层包括多条金属导线；m个硅通孔，穿透堆叠结构，硅通孔位于金属导线之间，硅通孔包括：第一部分，具有小于金属导线的间距的第一直径；第二部分，具有大于金属导线的间距的第二直径，耦接于第一部分的上表面且与第一部分中心对齐，侧壁与第一数量条金属导线相交；第三部分，形成于第二部分之后并位于第二部分之上，通过对第二部分侧壁的第二数量条金属导线进行无效处理而形成，第二数量小于第一数量。本公开的半导体结构可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属导线 半导体结构 堆叠结构 硅通孔 晶圆 芯片 布线层 侧壁 无效处理 一次掩模 中心对齐 电连接 上表面 衬底 多层 键合 刻蚀 制程 耦接 穿透 相交 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；m个硅通孔，穿透所述堆叠结构，所述硅通孔位于所述金属导线之间，所述硅通孔包括：第一部分，具有小于所述金属导线的间距的第一直径；第二部分，具有大于所述金属导线的间距的第二直径，耦接于所述第一部分的上表面且与所述第一部分中心对齐，侧壁与第一数量条所述金属导线相交；第三部分，形成于所述第二部分之后并位于所述第二部分之上，通过对所述第二部分侧壁的第二数量条所述金属导线进行无效处理而形成，所述第二数量小于所述第一数量。
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