[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201821916113.6 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN209216958U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；孔洞或沟槽，位于所述衬底上，所述孔洞或沟槽具有侧壁上部、侧壁下部和底部；氮化钨层，覆盖在所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部，所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部上的氮化钨的厚度均相同；金属层，覆盖所述氮化钨层并填满所述孔洞或沟槽。本实用新型的阻挡层阶梯覆盖性优异，使得金属能够充分填满孔洞或沟槽从而避免产生孔洞，同时沉积的阻挡层厚度适当且致密，具有良好的附着力和优异的阻挡性能，且具有低接触电阻，能够提高产品良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 孔洞 侧壁上部 侧壁下部 半导体结构 本实用新型 氮化钨层 阻挡层 衬底 填满 附着力 致密 低接触电阻 阶梯覆盖性 产品良率 阻挡性能 氮化钨 金属层 覆盖 沉积 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；孔洞或沟槽，位于所述衬底上，所述孔洞或沟槽具有侧壁上部、侧壁下部和底部；氮化钨层，覆盖在所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部，所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部上的氮化钨的厚度均相同；金属层，覆盖所述氮化钨层并填满所述孔洞或沟槽。
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