[实用新型]晶圆处理设备有效
| 申请号： | 201821832968.0 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN208848867U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 朱进;阚保国;麦永业;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 该实用新型涉及一种晶圆处理设备，包括：反应腔，内部设置有晶圆放置位，用于放置晶圆；等离子源，与反应腔连通，用于向反应腔内通入等离子体；导流装置，设置于晶圆放置位和等离子源之间；导流装置设置有导流孔，导流孔连通等离子源和晶圆放置位，使流经导流装置的等离子体通过，从而对等离子体进行导流，导流孔的大小可变。本实用新型的晶圆处理设备具有导流板，且导流板上设置有大小可变的导流孔，能够通过大小可变的导流孔控制进入到晶圆放置位所在侧的等离子体的量，从而控制等离子体在空间上的分布，保证反应工艺的均匀性，优化反应效果，提高晶圆的反应通过率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 晶圆 导流孔 放置位 大小可变 导流装置 等离子源 反应腔 晶圆处理设备 导流板 连通 本实用新型 处理设备 反应工艺 反应效果 内部设置 均匀性 通过率 导流 种晶 优化 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：反应腔，内部设置有晶圆放置位，用于放置晶圆；等离子源，与所述反应腔连通，用于向所述反应腔内通入等离子体；导流装置，设置于所述晶圆放置位和所述等离子源之间，所述导流装置设置有导流孔，所述导流孔连通所述等离子源和所述晶圆放置位，对流经所述导流装置的等离子体导流，所述导流孔的大小可变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
