[实用新型]晶圆处理设备

说明书

该实用新型涉及一种晶圆处理设备，包括：反应腔，内部设置有晶圆放置位，用于放置晶圆；等离子源，与反应腔连通，用于向反应腔内通入等离子体；导流装置，设置于晶圆放置位和等离子源之间；导流装置设置有导流孔，导流孔连通等离子源和晶圆放置位，使流经导流装置的等离子体通过，从而对等离子体进行导流，导流孔的大小可变。本实用新型的晶圆处理设备具有导流板，且导流板上设置有大小可变的导流孔，能够通过大小可变的导流孔控制进入到晶圆放置位所在侧的等离子体的量，从而控制等离子体在空间上的分布，保证反应工艺的均匀性，优化反应效果，提高晶圆的反应通过率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种晶圆处理设备。

背景技术

现有技术中经常会用到需要喷出气流或等离子体对晶圆进行刻蚀的晶圆处理设备，如等离子刻蚀机等。

在现有技术中，等离子体通入反应腔后在所述反应腔内的分布无法控制，因而在现有技术中无法通过控制等离子体在反应腔内的分布来控制待反应晶圆的某待反应区域的反应速度，对刻蚀的均匀性的影响很大，会影响晶圆刻蚀工艺的加工通过率，从而影响晶圆的最终产率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆处理设备，能够调整反应腔内的等离子体分布，优化对晶圆进行刻蚀的效果，提高晶圆加工通过率，从而提高晶圆的最终产率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种晶圆处理设备，包括：反应腔，内部设置有晶圆放置位，用于放置晶圆；等离子源，与所述反应腔连通，用于向所述反应腔内通入等离子体；导流装置，设置于所述晶圆放置位和所述等离子源之间；所述导流装置设置有导流孔，所述导流孔连通所述等离子源和所述晶圆放置位，对流经所述导流装置的等离子体导流，所述导流孔的大小可变。

可选的，所述导流装置包括：第一导流板，具有贯穿所述第一导流板的第一通孔；第二导流板，具有贯穿所述第二导流板的第二通孔；所述第一和第二导流板能够相对运动，使所述第一通孔和第二通孔在完全重合和完全错开之间变换，从而改变所述导流孔的大小。

可选的，所述第一导流板和第二导流板相互平行。

可选的，所述第一导流板和第二导流板均为圆形导流板，且具有重合的中心轴。

可选的，所述第一导流板和第二导流板中的至少一个为动导流板。

可选的，所述第一导流板和第二导流板均平行于所述晶圆放置位，所述第一通孔和第二通孔的长度方向均垂直于所述晶圆放置位。

可选的，所述第一通孔在第一导流板上的分布状态与所述第二通孔在第二导流板上的分布状态相同，且所述第一通孔的尺寸与所述第二通孔的尺寸相同。

可选的，所述第一导流板上设置有第一通孔的区域在所述晶圆放置位上的投影覆盖所述晶圆放置位；所述第二导流板上设置有第二通孔的区域在所述晶圆放置位上的投影覆盖所述晶圆放置位。

可选的，还包括一电机，连接至所述动导流板，用于驱动所述动导流板绕垂直于所述动导流板所在平面的某一轴发生旋转。

本实用新型的晶圆处理设备具有导流板，且所述导流板上设置有大小可变的导流孔，因此能够通过大小可变的导流孔控制进入到所述晶圆放置位所在侧的等离子体的量，从而控制所述等离子体在空间上的分布，在使用上述晶圆处理设备实施晶圆去胶工艺时，可以通过所述导流板用来调节待去胶晶圆的不同区域的去胶速率，保证去胶工艺的均匀性，优化对晶圆的去胶效果，提高晶圆的去胶加工通过率。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中的晶圆处理设备的结构示意图。

图2为本实用新型的一种具体实施方式中的所述第一导流板的第一通孔和第二导流板的第二通孔完全重叠时的示意图。