[实用新型]电子芯片有效
| 申请号： | 201821812615.4 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN209266400U | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | F·亚瑙德;D·加尔平;S·佐尔;O·欣西格;L·法韦内克;J-P·奥杜;L·布劳苏斯;P·波伊文;O·韦伯;P·布龙;P·莫林 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及电子芯片。电子芯片包括由相变材料和晶体管制成的存储单元。第一和第二通孔从晶体管穿过中间绝缘层延伸到相同高度。包括与第一通孔接触的第一互连迹线的第一金属层级位于中间绝缘层之上。用于加热相变材料的加热元件位于第二通孔上，并且相变材料位于加热元件上。包括第二互连迹线的第二金属层级位于相变材料上方。第三通孔从相变材料延伸到第二互连迹线。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料 通孔 电子芯片 互连迹线 中间绝缘层 加热元件 金属层级 晶体管 加热相变材料 存储单元 延伸 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种电子芯片，其特征在于，包括：存储单元，包括相变材料；第一金属层级，包括穿过第一绝缘层的第一互连迹线；以及加热元件，被配置为加热所述相变材料，所述加热元件被定位为与所述第一绝缘层的部分的侧面相邻。
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