[实用新型]功率芯片封装结构有效
| 申请号： | 201821805402.9 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN208954972U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 冷中明;谢智正 | 申请（专利权）人： | 尼克森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率芯片封装结构。功率芯片封装结构包括薄化芯片以及导电支撑材。薄化芯片具有主动侧以及相反于所述主动侧的背侧，且薄化芯片以主动侧朝向线路基板设置。导电支撑材设置于薄化芯片的背侧，以提供机械强度。导电支撑材具有面向薄化芯片的一内表面，且薄化芯片的一背侧的表面的面积与导电支撑材的内表面的面积的比值范围是由0.5至1之间。据此，可增加芯片封装结构的机械强度，以避免设置在基板上的薄化芯片，因为基板的弯折而被损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 薄化 芯片 支撑材 导电 封装结构 功率芯片 内表面 基板 芯片封装结构 本实用新型 线路基板 弯折 | ||
【主权项】：
1.一种功率芯片封装结构，其特征在于，所述功率芯片封装结构包括：一薄化芯片，其具有一主动侧以及一相反于所述主动侧的背侧；以及一导电支撑材，其设置于所述薄化芯片的所述背侧，其中，所述导电支撑材具有面向所述薄化芯片的一内表面，所述薄化芯片的一背侧的表面的面积与所述内表面的面积的比值范围是由0.5至1。
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