[实用新型]一种T型铁氧体磁芯的研磨面平行度检测系统有效
| 申请号： | 201821741622.X | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN208945892U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 胡志辉 | 申请（专利权）人： | 飞磁电子材料(东莞)有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/013 | 分类号： | B24B37/013 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种T型铁氧体磁芯的研磨面平行度检测系统，其包括夹具座，夹具座用于夹持待测T型铁氧体磁芯，T型铁氧体磁芯设置有中柱及垂直设置在中柱上的边脚柱，夹具座两侧分别设置有转板，转板一侧面设置在T型铁氧体磁芯的边脚柱边缘处，转板一侧设置有激光发射器，激光发射器垂直转板设置，激光发射器一侧设置有激光接收器，激光接收器用以接收激光发射器发出的激光。本实用新型通过将T型铁氧体磁芯固定夹持在夹具座内，配合在夹具座两侧分别设置转板，利用转板转动使得转板侧面贴合边脚柱两侧部的斜面，利用转板上固定设置的激光发射器发出的激光在激光接收器上的移动位移来检测边脚柱两侧部的斜面的倾斜角度，完成检测。 | ||
| 搜索关键词： | 铁氧体磁芯 转板 激光发射器 夹具座 激光接收器 本实用新型 平行度检测 研磨面 边脚 脚柱 激光 侧面设置 垂直设置 垂直转板 固定夹持 固定设置 移动位移 边缘处 检测边 贴合边 夹持 转动 侧面 检测 配合 | ||
【主权项】：
1.一种T型铁氧体磁芯的研磨面平行度检测系统，其特征在于：包括夹具座，所述夹具座用于夹持待测T型铁氧体磁芯，所述T型铁氧体磁芯设置有中柱及垂直设置在中柱上的边脚柱，所述夹具座两侧分别设置有转板，所述转板一侧面设置在T型铁氧体磁芯的边脚柱边缘处，所述转板一侧设置有激光发射器，所述激光发射器垂直转板设置，所述激光发射器一侧设置有激光接收器，所述激光接收器用以接收激光发射器发出的激光。
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- 2009-04-29 - 2014-01-29 - B24B37/013
- 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，和基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
- 承载装置及利用该装置进行晶片转移的方法-201310165014.4
- 张冬芳;张守龙;白英英;陈玉文;蒋德念 - 上海华力微电子有限公司
- 2013-05-07 - 2013-08-21 - B24B37/013
- 本发明一般涉及半导体集成电路制造领域，更确切的说，本发明涉及一种承载装置及利用该装置进行晶片转移的方法。本发明一种承载装置及利用该装置进行晶片转移的方法，通过在承载平台上设置多组传感器，以针对不同规格和尺寸的晶片使用相应组别的传感器进行识别检测工艺，还能准确的检测识别出具有特殊形貌的晶片，以有效避免承载平台中叠片现象的出现，降低因识别不到晶片而发生碎片的危险，进而增大产品的良率，降低工艺成本，且对现有的设备改动小，其兼容性比较强。
- 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统-201310072068.6
- 何敖东;宋志棠;刘波;刘卫丽;吴关平;王良咏;李俊焘;俞磊;闫未霞 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2013-03-06 - 2013-06-19 - B24B37/013
- 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。
- 研磨终点探测方法、装置及研磨机台-201310062507.5
- 张明华;严钧华;黄耀东;方精训;彭树根 - 上海华力微电子有限公司
- 2013-02-27 - 2013-05-08 - B24B37/013
- 本发明公开了一种研磨终点探测方法，包括如下步骤：发射一激光至晶圆的被研磨层；晶圆对激光进行反射；通过分析经由晶圆反射的反射光的光强信号变化来判定是否到达研磨终点。还公开了研磨终点探测装置及研磨机台。本发明利用晶圆的被研磨层与下一层材料反射率的差异性，通过分析反射光的光强变化来判断是否研磨到下一层反射率不同的材料，当晶圆的被研磨层被局部研磨完露出下层反射率不同的材料时，反射光信号开始变化，当晶圆上被研磨层的全部被研磨完后反射光信号变化趋缓，即可通过研磨终点探测程序抓到研磨终点。由于研磨终点光学探测信号比较明显，因此探测稳定性和可重复性更高，且可以广泛适用于半导体制造技术中的多种化学研磨工艺。
- 研磨方法及研磨装置-201210419599.3
- 金马利文 - 株式会社荏原制作所
- 2012-10-26 - 2013-05-01 - B24B37/013
- 本发明提供能够在基板的研磨过程中获取硅层的正确厚度，根据得到的硅层的厚度正确确定基板的研磨终点的研磨方法以及研磨装置。本研磨方法将从基板反射的红外线的强度除以规定的基准强度，以计算出相对反射率，生成表示相对反射率与红外线的波长之间的关系的光谱波形，对光谱波形实施傅里叶变换处理，确定硅层的厚度以及对应的频率成分的强度，在所述确定的频率成分的强度比规定的阈值高的情况下，将所述确定的硅层厚度认定为可靠性高的测定值，根据该可靠性高的测定值达到规定的目标值的时刻，确定基板的研磨终点。
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