[实用新型]场效应晶体管有效
| 申请号： | 201821658730.0 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN209071275U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该场效应晶体管，包括：衬底，位于衬底上阱区，阱区中包括沟道区、LDD区、和具有第一掺杂类型的源区与具有第二掺杂类型的漏区；位于沟道区上的栅氧化层和多晶硅栅极；位于多晶硅栅极两侧的侧壁间隔物；其中，LDD区注入有氟离子，栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。注入的氟离子取代栅极氧化物中的氧，被取代的氧原子继续和硅反应，使得LDD区域靠近栅极附近的氧化层厚度增加；在器件操作时，可降低栅极与LDD区间的电场，减少热载子效应所产生的漏电流，提升器件操作时的可靠度，使器件工作寿命增加。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 多晶硅栅极 掺杂类型 厚度增加 栅氧化层 氟离子 沟道区 衬底 阱区 半导体技术领域 侧壁间隔物 热载子效应 栅极氧化物 电场 工作寿命 器件操作 提升器件 可靠度 漏电流 氧化层 氧原子 漏区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上阱区，所述阱区中包括沟道区、LDD区、和具有第一掺杂类型的源区与具有第二掺杂类型的漏区；位于所述沟道区上的栅氧化层和多晶硅栅极；位于所述多晶硅栅极两侧的侧壁间隔物；其中，所述LDD区注入有氟离子，所述栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
