[实用新型]一种双SLC闪存晶片的封装结构有效
| 申请号： | 201821549544.3 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN208796996U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 唐维强 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 深圳市凯博企服专利代理事务所(特殊普通合伙) 44482 | 代理人： | 李绍飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双SLC闪存晶片的封装结构，包括基板、第一层芯片、可流动膜、第二层芯片、第三层芯片和三根引线，所述第一层芯片封装在可流动膜下表面，第二层芯片封装在可流动膜上表面，所述第三层芯片封装在第二层芯片上，所述引线连接第一层芯片和基板、第二层芯片和基板以及第三层芯片和基板。本实用新型通过设置能够支持双片选的控制芯片，利用可流动膜堆叠的方式来放置两个芯片，在更小的封装面积上实现了更大的容量存储，满足了市场对更大存储的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 可流动 基板 芯片封装 第三层 第一层 本实用新型 封装结构 闪存晶片 控制芯片 容量存储 引线连接 膜堆叠 上表面 下表面 双片 封装 存储 | ||
【主权项】：
1.一种双SLC闪存晶片的封装结构，其特征在于：包括基板、第一层芯片、可流动膜、第二层芯片、第三层芯片和三根引线，所述第一层芯片封装在可流动膜下表面，第二层芯片封装在可流动膜上表面，所述第三层芯片封装在第二层芯片上，所述引线连接第一层芯片和基板、第二层芯片和基板以及第三层芯片和基板。
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