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[发明专利]一种减小列冗余替换电路面积的电路及芯片-CN202011141934.9有效
发明人：温靖康;鲍奇兵;刘梦 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小列冗余替换电路面积的电路及芯片，电路包括列冗余替换完成后用于控制读写擦的控制电路和用于对列冗余信息进行替换的解码电路，将列冗余信息解码电路拆分为列冗余信息预解码电路和列冗余替换信息二级解码电路，将列冗余替换信息的二级解码电路分散到每个灵敏放大器当中去，这样横穿芯片左右的走线就会大大减少，明显减小列冗余替换电路的面积，降低因为增加列冗余替换电路给芯片面积带来的成本增加，同时可以提高芯片测试的良率。
一种减小冗余替换电路面积芯片

[发明专利]一种数据输出驱动电路及非易失型闪存器-CN202011443166.2有效
发明人：徐明揆;王小光;唐维强;刘梦;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据输出驱动电路及非易失型闪存器，通过优化前置驱动模块，使得数据翻转时PMOS驱动管和NMOS驱动管的栅极电压、开启程度不同步变化，而是实现一种非交叠时序，在打开PMOS驱动管时，NMOS驱动管的栅极电压已经接近0V，NMOS驱动管关闭；在打开NMOS驱动管时，PMOS驱动管栅极电压已经接近电源电压，PMOS驱动管关闭，避免了PMOS驱动管和NMOS驱动管两个驱动管同时开启而形成穿通电流，解决了PMOS驱动管和NMOS驱动管同时开启形成穿通电流从而引起驱动管总的峰值电流的增加和数据读出时的功耗增加的问题。
一种数据输出驱动电路非易失型闪存

[实用新型]LDO电路、LDO及SOC系统-CN202022205384.4有效
发明人：徐光明;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LDO电路、LDO及SOC系统，电路或系统中的放大器对基准电压和输出电压分压的差值进行调整；在输出偏低或低冲时，减弱输出电压低冲控制管导通，降低功率管栅极电压，增大功率管驱动电流，快速升高输出电压；在输出过冲时，降低放大器输出电压，增强低冲控制管导通，抬高功率管栅极电压，减小功率管输出电流；因功率管栅极电压和过冲控制管栅极电压相同，栅极电压升高使过冲电压控制管对输出进行放电，快速恢复输出电压；通过输出电压低冲控制管和输出电压过冲控制管，实现LDO输出快速负载瞬态响应；电路结构简单，静态电流和成本几乎没有增加。
ldo 电路 soc 系统

[发明专利]一种带电压建立标志的负压电荷泵电路及flash芯片-CN202011614123.6在审
发明人：龙冬庆;刘梦;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种带电压建立标志的负压电荷泵电路及flash芯片，通过增加第二比较器作为电荷泵输出电压的动态监测模块，可以更加直观、准确且可靠地表征电荷泵输出电压是否已经建立，给其他电路提供了建立时间的准确坐标，优化了电路性能，并且给其他电路进行性能优化提供了依据和空间。
一种电压建立标志压电电路 flash 芯片

[发明专利]一种减小电荷泵输出电压纹波的电路-CN202011632922.6在审
发明人：龙冬庆;刘梦;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小电荷泵输出电压纹波的电路，在满足相同的驱动能力的条件下，将传统的一组电荷泵均分多组电荷泵组并行输出，同时控制电荷泵组的数量，在电荷泵输出电压需抬升时可采用多个电荷泵组一起并行工作，以减小电荷泵输出电压的上升时间，电荷泵输出电压到达目标值后，对每个电荷泵组的时钟信号进行分频处理，同时错开每个电荷泵组时钟的上升/下降沿，达到的效果是每个电荷泵组的工作时间错开，每次只有一个电荷泵组工作，以此减小电荷泵输出电压的波纹，本技术方案输出的电荷泵输出电压波纹理论上是传统电荷泵电路输出电压波纹的1/n左右，n为电荷泵组的分组数。
一种减小电荷输出电压电路

[发明专利]一种时钟振荡器电路、电荷泵电路及Flash芯片-CN202011594518.4在审
发明人：吴彤彤;王小光;龙冬庆 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟振荡器电路、电荷泵电路及Flash芯片，时钟振荡器OSC产生的第一时钟脉冲CLK，不直接输入至给电荷泵Charge pump，而是经过电平保持模块处理后得到第二时钟脉冲CLKm，再输入至电荷泵Charge pump，经处理后的第二时钟脉冲CLKm，在时钟使能EN=0后，可保持原电平，使电荷泵Charge pump接收到的时钟脉冲等于前一个接收到的时钟脉冲，防止电荷泵Charge pump的输出电压VPP因时钟引起过冲的问题。
一种时钟振荡器电路电荷 flash 芯片

[发明专利]降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端-CN202010597006.7有效
发明人：张柱定;王振彪;高益 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端，同时选中需要擦除区域内所有字线上的单元并对执行擦除操作；按照字线编号顺序逐一检查每根字线，判断当前的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若均擦除成功则继续下一条字线的检查；若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后继续下一条字线的检查；本方法既可以对已经擦除成功的cell避免再次擦除，从而降低过擦除现象的产生，同时对擦除不过的字线与后面的字线绑在一起擦除，与全部单根字线擦除比，擦除时间上会比较有优势。
降低擦除现象时间方法系统存储介质终端

[实用新型]一种振荡器及芯片-CN202022209604.0有效
发明人：徐明揆;刘梦 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本实用新型提供一种振荡器及芯片，通过电源电压检测电路实时检测电源电压的高低，根据电源电压的高低控制NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压的高低，使环形振荡器的振荡频率不随电源电压的高低而变化，保证芯片的正常运行。
一种振荡器芯片

[发明专利]基准电压自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端-CN202011594557.4在审
发明人：唐维强;龙冬庆;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电压自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送一个目标基准电压，通过比较器比较芯片的基准电压与目标基准电压的大小，若基准电压大于目标基准电压，则减小基准电压，直至基准电压与目标基准电压的差值落入误差范围内；若基准电压小于目标基准电压，则增大基准电压，直至基准电压与目标基准电压的差值落入误差范围内；通过将传统的直接测量芯片的基准电压的做法改为将基准电压与设定的目标基准电压进行比较，通过两者的差值对基准电压进行校准，目标基准电压通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉电压值的大小比较，测试程序简单，可操作性强。
基准电压自动校准测试方法装置存储介质终端

[发明专利]一种结构简单的低功耗快速敏感放大器电路及存储器-CN202011589800.3在审
发明人：鲍奇兵;王小光;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种结构简单的低功耗快速敏感放大器电路及存储器，整个电路采用mos管实现，电路的结构和电路元件简单，满足使用要求；通过采用动态锁存比较器降低敏感放大器功耗，提高敏感放大器的速度和比较精度，从而提高了读速度和对存储单元的写入阈值电压的控制精度；同时利用由电流镜的构成差分电路比较参考电流和存储单元电流，对电源噪声抑制较好，提高抗干扰能力。
一种结构简单功耗快速敏感放大器电路存储器

[发明专利]提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端-CN202011589852.0在审
发明人：王小光;唐维强;刘梦;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端，通过为灵敏放大器的参考电流叠加一路附加电流，所述附加电流和与处于读状态的存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0V时产生的电流之和同增同减，这样，参考电流与处于读状态的存储单元的偏置电流的差值是固定的，不会随温度的变化而变化，使得灵敏放大器在不同温度下的可靠性明显得到提高，从而提高了NOR Flash整体的可靠性。
提高灵敏放大器读取可靠性方法装置存储介质终端

[发明专利]非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端-CN202011589855.4在审
发明人：黎永健;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端，当检测到一个较高的电压点时使非易失型芯片退出编程和擦除操作，当检测到一个更低的电压点时，即配置寄存器和状态寄存器在电压出现不稳定甚至掉电时，只要在非易失型芯片重新上电后，从非易失型芯片内读取与非易失型芯片上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，并将内容重新配置到配置寄存器和状态寄存器内，这样可以使得非易失型芯片再次执行操作时，配置寄存器和状态寄存器内的数据不会出错，保证非易失型芯片操作有效性；通过设置两个电压点的低电压检测，发生低电压报警时根据电压点的差别，分别作出不同行为，来保证非易失型芯片可靠性。
非易失型芯片电压报警方法装置存储介质终端

[发明专利]非易失性芯片错误注入验证方法、装置、存储介质和终端-CN202011593242.8在审
发明人：陈胜源;张新展;朱雨萌;张宇 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性芯片错误注入验证方法、装置、存储介质和终端，通过预先编写错误类型，然后依次发送已经编写好的错误激励，对错误激励进行解析，在模拟模型执行相应操作时，根据错误激励判断模拟模型中执行相应操作的存储单元是否为错误激励中标记的错误存储单元，如果是，返回一个错误的值，反之，返回一个正确的值，达到错误注入的目的；其中，还可以根据错误激励重复执行擦或写操作，达到多次执行相应操作不成功的情况，使芯片的验证更加接近实际；本技术方案的错误注入机制，可定向、随机标记异常存储单元，实现验证算法的可靠性，具有操作性强、效率高、验证结果可信度高的特点。
非易失性芯片错误注入验证方法装置存储介质终端

[发明专利]一种时钟频率校准的测试方法、装置、存储介质和终端-CN202011593361.3在审
发明人：唐维强;龙冬庆;吴彤彤 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟频率校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送固定宽度高电平，计数芯片内时钟走完该高电平所需要时钟个数，如果时钟个数在设定范围内，则校准通过，否则改变时钟的频率设置参数，然后重复计数时钟走完该高电平所需要的时钟个数并重复判断，直到时钟走完该高电平所需要的时钟个数落入设定范围内，即完成时钟频率的校准；通过将传统的直接测量芯片内时钟频率的做法改为测量芯片内时钟走完一定宽度高电平所需要的时钟个数，并判断时钟个数是否在设定范围内，固定宽度的高电平通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉及时钟个数的测量和判断，测试程序简单，可操作性强。
一种时钟频率校准测试方法装置存储介质终端

[发明专利]检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端-CN202011614403.7在审
发明人：刘佳庆;黎永健;蒋双泉 -专利权人： 深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端，在CP测试模式下采用特殊配置信号，让待测flash能够在测试模式下使用正常的写指令写入固定数据，再通过测试模式下的读指令边读取数据边进行对比，输出对比结果的标志信号，并同时把错误的地址存储起来，在待测flash下一次上电时即可用冗余存储区替换坏掉的区域；无需对待测flash整片写入再整片读出，可以在测试时边测试边确定芯片中无法擦写的存储区域，极大地提高flash存储出错的检测效率，实现冗余替换；通过采用本方案，可以有效提高flash良品率，减少生产成本，在CP测试阶段就可以快速检测到无法擦写的芯片以及芯片中无法擦写的存储区域。
检测 flash 存储出错方法电路介质终端

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