[实用新型]具有修改图案的半导体装置有效
| 申请号： | 201821513764.0 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208674108U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 刘兵 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有修改图案的半导体装置，包括：半导体衬底；第一对准图案的突出图形，突出于所述半导体衬底的表面；第二对准图案，对准形成于所述第一对准图案中，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。 | ||
| 搜索关键词： | 对准图案 半导体装置 突出图形 衬底 半导体 图案 凹入 对准 申请 | ||
【主权项】：
1.一种具有修改图案的半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底(100)；第一对准图案(110)的突出图形(111)，突出于所述半导体衬底(100)的表面；第二对准图案(120)，对准形成于所述第一对准图案(110)中，所述第二对准图案(120)包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形(121)。
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