[实用新型]具有修改图案的半导体装置

说明书

本申请公开了一种具有修改图案的半导体装置，包括：半导体衬底；第一对准图案的突出图形，突出于所述半导体衬底的表面；第二对准图案，对准形成于所述第一对准图案中，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域，具体地，涉及一种具有修改图案的半导体装置。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，电路设计越来越复杂、特征尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高。这对半导体制造工艺提出了越来越严格的要求，因此必须在工艺过程中尽可能地减小每个步骤的误差，降低因误差造成的器件失效。光刻是半导体制造过程中一道重要的工序，而影响光刻工艺误差的因素除了光刻机的分辨率之外，还有光刻机的对准精确度。可以采用标准掩膜板来进行光刻机的对准，将标准掩膜板上的标准对准图案转印至衬底上供光刻机对准使用，以提高光刻机的对准精确度。

由于标准对准图案与标准掩膜板相互对应，如果需要采用另一种标准对准图案，则需要更换与之对应的标准掩膜板，而标准掩膜板是半导体制造过程中造价最高的一部分，所以更换新的标准掩膜板需要耗费大量的资金，增加了制造成本。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种具有修改图案的半导体装置，该半导体装置上的修改图案通过修改掩膜板对标准对准图案修改而成，修改图案符合设计需求，能够减少更换标准掩膜板的费用，降低制造成本。

为了实现上述目的，在本申请提供一种具有修改图案的半导体装置，包括：半导体衬底；第一对准图案的突出图形，突出于所述半导体衬底的表面；第二对准图案，对准形成于所述第一对准图案中，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。

可选地，所述第二对准图案还包括位于所述中间图形两侧的侧边图形。

可选地，所述第二对准图案完全对准形成于所述第一对准图案中。

可选地，所述第二对准图案的中间线对准重叠于所述第一对准图案的中间线。

本申请提供的具有修改图案的半导体装置包括半导体衬底、突出图形和第二对准图案，突出图形突出于半导体衬底表面，第二对准图案包括至少凹入于突出图形的中间图形。修改图案是通过修改掩膜板将标准对准图案修改而成的对准图案，该修改图案符合设计需求，能够减少更换标准掩膜板的费用，降低制造成本。

本申请的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法的流程图；

图2是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法制备的半导体衬底的剖视图；

图3是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第二光掩膜层的剖视图；

图4是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第二光掩膜图案的剖视图；

图5A、图5B是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第一对准图案的剖视图；

图6是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第一光掩膜层的剖视图；

图7A是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第一光掩膜图案的剖视图；

图7B是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第一掩膜槽孔的局部放大剖视图；

图8A是根据本申请一种实施方式的标准对准图案修改方法形成的第二对准图案的剖视图；