[实用新型]一种SP超结MOS结构

摘要

本实用新型公开了一种SP超结MOS结构，属于半导体器件领域。该SP超结MOS结构包括衬底、外延层、氧化层、多晶硅、绝缘介质层和金属层；外延层在衬底之上；衬底上设置有深槽和P型半导体区，深槽内填充有掺硼多晶硅，掺硼多晶硅与外延层之间有一层绝缘介质层，P型半导体区设置有N型半导体区；外延层之上为氧化层，氧化层之上为绝缘介质层，氧化层中有多晶硅，电极接触孔贯穿氧化层和氧化层之上的绝缘介质层；金属层覆盖电极接触孔和绝缘介质层；降低了单个元胞的导通电阻，从而降低整个器件的导通电阻，可以实现超结Super juntion的功能，达到现有的超结DMOS的特性，制作工艺简单，容易实现。

主权项

1.一种SP超结MOS结构，其特征在于，包括衬底、外延层、氧化层、多晶硅、绝缘介质层和金属层；所述外延层在所述衬底之上；所述衬底上设置有深槽和P型半导体区，所述深槽内填充有掺硼多晶硅，所述掺硼多晶硅与所述外延层之间有一层绝缘介质层，所述P型半导体区设置有N型半导体区；所述外延层之上为所述氧化层，所述氧化层之上为所述绝缘介质层，所述氧化层中有所述多晶硅，电极接触孔贯穿所述氧化层和所述氧化层之上的所述绝缘介质层；所述金属层覆盖所述电极接触孔和所述绝缘介质层。