[发明专利]化学机械研磨绝缘介质层的方法无效
| 申请号： | 200910206104.7 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102044409A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李文明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B24B37/04;B24B29/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种化学机械研磨绝缘介质层的方法，包括：提供包括凹槽的膜层；在膜层上形成绝缘介质层，且将绝缘介质层填充满凹槽；用化学机械研磨法研磨绝缘介质层至绝缘介质层平整，所述化学机械研磨法采用的研磨液为二氧化铈。本发明降低了制造成本；并且使研磨后绝缘介质层均匀性提高；制造工艺更容易控制，不容易出现过磨现象。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 绝缘 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨绝缘介质层的方法，其特征在于，包括：提供包括凹槽的膜层；在膜层上形成绝缘介质层，且将绝缘介质层填充满凹槽；用化学机械研磨法研磨绝缘介质层至绝缘介质层平整，所述化学机械研磨法采用的研磨液为二氧化铈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
