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[发明专利]一种功率器件老化考核用加热装置-CN202010842750.9在审
发明人：赵秋森 -专利权人： 无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种功率器件老化考核用加热装置，所述装置包括：所述装置包括：控制电路和一个或多个独立控制单元；每个独立控制单元包括：继电器、恒温加热器和温度探头；所述恒温加热器与所述继电器相连接，所述继电器与所述控制电路相连接，所述温度探头与所述控制电路相连接；被考核器件的背面设置于恒温加热器上；温度探头与被考核器件的正面相接触，用以检测器件表面温度，并生成温度检测信号；所述控制电路根据每一温度探头发送的温度检测信号，生成对相应独立控制单元的控制输出信号，用以控制各个独立控制单元的继电器的通断，从而控制恒温加热器对该独立控制单元中的被考核器件的加热时间。
一种功率器件老化考核加热装置

[发明专利]一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备-CN202010843626.4在审
发明人：赵秋森 -专利权人： 无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备，所述方法包括：控制电路输出第一控制信号，控制可控电压源向待老化VDMOS器件的漏极施加正电压至达到待老化VDMOS器件的击穿电压；在设定老化时间内，控制电路获取待老化VDMOS器件的漏源电流的第一实时监测信号，并且获取待老化VDMOS器件的器件表面温度的第二实时监测信号，根据第一实时监测信号和第二实时监测信号输出第二控制信号；可控电压源根据第二控制信号调整输出电压，使得待老化VDMOS器件的漏源电流在第一预设范围内且器件表面温度在第二预设范围内；计时结束后，对待老化VDMOS器件进行降温处理后从老化设备中取出，得到老化处理后的沟槽栅VDMOS器件。
一种用于沟槽 vdmos 器件老化方法设备

[实用新型]一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构-CN201821420851.1有效
发明人：赵少峰 -专利权人： 无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一方向与第二方向相垂直。
沟槽栅接触孔元胞布图结构蛇形沟道本实用新型平行设置重复排列重合垂直

[发明专利]一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构和布图方法-CN201811004844.8在审
发明人：赵少峰 -专利权人： 无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构和布图方法,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一方向与第二方向相垂直。
沟槽栅接触孔元胞布图结构蛇形沟道平行设置重复排列重合垂直