[实用新型]一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构有效
| 申请号： | 201821259335.5 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208422903U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 梁赛嫦;马颖江;史波;江伟 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极型晶体管 沟槽型 发射极金属层 封装结构 焊点 沟槽型栅极 发射极 焊线 引线框架 引出端 本实用新型 发射极引脚 晶体管封装 芯片放置区 表面连接 方向垂直 固定沟槽 电连接 延伸 减小 良率 背离 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于所述发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，所述引线框架包括用于固定所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接所述发射极金属层与所述发射极引脚的第一焊线，所述第一焊线一端与所述发射极金属层背离所述沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与所述发射极引出端连接形成第二焊点，且所述第一焊点的延伸方向垂直于所述沟槽型栅极沟槽的延伸方向。
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