[实用新型]一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构

权利要求书

1.一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，包括：

沟槽型绝缘栅双极型晶体管，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于所述发射极金属层一侧的沟槽型栅极；

引线框架，所述引线框架包括用于固定所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；

连接所述发射极金属层与所述发射极引脚的第一焊线，所述第一焊线一端与所述发射极金属层背离所述沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与所述发射极引出端连接形成第二焊点，且所述第一焊点的延伸方向垂直于所述沟槽型栅极沟槽的延伸方向。

2.根据权利要求1所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，所述第一焊线位于所述第一焊点和第二焊点之间的部分形成弧形部，所述弧形部的最高点距离所述发射极金属层的弧高为750微米至1000微米。

3.根据权利要求1所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，所述发射极引出端具有用于与所述第一焊线连接的第一著线垫，所述第二焊点形成于所述第一著线垫上。

4.根据权利要求3所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，所述发射极金属层与所述第一著线垫之间连接有至少一根所述第一焊线。

5.根据权利要求1所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，所述引线框架还包括栅极引出端，所述沟槽型栅极通过第二焊线与所述栅极引出端电连接。

6.根据权利要求1所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括硅衬底、形成于所述硅衬底上的所述沟槽型栅极、形成于所述沟槽型栅极表面的氧化硅绝缘层以及形成于所述氧化硅绝缘层背离所述硅衬底一侧的所述发射极金属层。

7.根据权利要求6所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管还包括位于所述硅衬底背离所述沟槽型栅极一侧的集电极，所述引线框架还包括集电极引出端，所述集电极通过结合材与所述引线框架的芯片放置区电连接和物理连接。

8.根据权利要求1所述的沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，还包括由塑封工艺形成的内部完全填充的塑封外壳。