[实用新型]一种氮化硅炉管设备有效
申请号: | 201821096509.0 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208776836U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种氮化硅炉管设备,包含沉积炉管室、进气管,进气管与沉积炉管室相连通,进气管包含进气管一、进气管二和进气管三;设置在沉积炉管室内的多个喷嘴,喷嘴包含清洁喷嘴、沉积喷嘴及共享喷嘴。本实用新型通过改进氮化硅炉管设备的喷嘴设置,大大降低清洁喷嘴微尘颗粒积累的情况,随着氮化硅炉管设备运行时间的变化,氮化硅炉管产生的微尘颗粒量基本保持不变,且氮化硅炉管设备内顶部、中部和底部三个位置的沉积氮化硅薄膜厚度随着清洁喷嘴使用时间的增加也基本保持不变,制程晶圆上沉积的氮化硅薄膜厚度的稳定性很好;另一方面,由于喷嘴数量减少,也节约了设备部件的采购费用,大大降低了企业成本。 | ||
搜索关键词: | 喷嘴 氮化硅 进气管 炉管 沉积炉管 清洁喷嘴 本实用新型 微尘颗粒 沉积 沉积氮化硅薄膜 氮化硅薄膜 企业成本 设备部件 设备运行 数量减少 内顶部 晶圆 制程 室内 共享 采购 节约 积累 改进 | ||
【主权项】:
1.一种氮化硅炉管设备,包含沉积炉管室,其特征在于,所述氮化硅炉管设备还包含:进气管,所述进气管与所述沉积炉管室相连通,所述进气管包含进气管一、进气管二和进气管三;设置在所述沉积炉管室内的多个喷嘴,所述喷嘴包含清洁喷嘴、沉积喷嘴及共享喷嘴;所述清洁喷嘴穿过所述沉积炉管室与所述进气管一相连通,用于提供清洁气体;所述沉积喷嘴穿过所述沉积炉管室与所述进气管二相连通,用于提供沉积气体一;所述共享喷嘴穿过所述沉积炉管室与所述进气管三相连通,用于提供清洁气体、腐蚀气体及沉积气体二。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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