[发明专利]氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板有效
| 申请号： | 201980042179.8 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112313191B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 青木克之;岩井健太郎;深泽孝幸;门马旬;佐野孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C04B35/587 | 分类号： | C04B35/587;H01L23/15;H01L23/36;H01L23/373;H05K1/03 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 硅基板 路基 | ||
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