[实用新型]一种氮化硅炉管设备有效
申请号: | 201821096509.0 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208776836U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 氮化硅 进气管 炉管 沉积炉管 清洁喷嘴 本实用新型 微尘颗粒 沉积 沉积氮化硅薄膜 氮化硅薄膜 企业成本 设备部件 设备运行 数量减少 内顶部 晶圆 制程 室内 共享 采购 节约 积累 改进 | ||
1.一种氮化硅炉管设备,包含沉积炉管室,其特征在于,所述氮化硅炉管设备还包含:
进气管,所述进气管与所述沉积炉管室相连通,所述进气管包含进气管一、进气管二和进气管三;
设置在所述沉积炉管室内的多个喷嘴,所述喷嘴包含清洁喷嘴、沉积喷嘴及共享喷嘴;所述清洁喷嘴穿过所述沉积炉管室与所述进气管一相连通,用于提供清洁气体;所述沉积喷嘴穿过所述沉积炉管室与所述进气管二相连通,用于提供沉积气体一;所述共享喷嘴穿过所述沉积炉管室与所述进气管三相连通,用于提供清洁气体、腐蚀气体及沉积气体二。
2.根据权利要求1所述的氮化硅炉管设备,其特征在于,所述清洁喷嘴、所述沉积喷嘴和所述共享喷嘴具有在所述沉积炉管室内不相同的喷嘴高度差,其中所述共享喷嘴的喷嘴高度高于对应所述沉积喷嘴的喷嘴高度,所述沉积喷嘴的喷嘴高度高于对应所述清洁喷嘴的喷嘴高度。
3.根据权利要求1所述的氮化硅炉管设备,其特征在于,所述清洁喷嘴上设有不少于一个进气孔一;所述沉积喷嘴上设有不少于一个进气孔二;所述共享喷嘴上设有不少于一个进气孔三;所述进气孔一高于所述进气孔二的高度差相当于所述进气孔二高于所述进气孔三的高度差。
4.根据权利要求1所述的氮化硅炉管设备,其特征在于,所述沉积炉管室相对于所述进气管的另一端设置有排气口。
5.根据权利要求4所述的氮化硅炉管设备,其特征在于,所述排气口相对于所述沉积炉管室的另一端与排气管相连。
6.根据权利要求1所述的氮化硅炉管设备,其特征在于,所述清洁气体包含氮气;所述腐蚀气体包含氟气;所述沉积气体一包含氨气,所述沉积气体二包含二氯二氢硅(SiH2Cl2)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的