[实用新型]一种分离式进气炉管有效
| 申请号： | 201721416258.5 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN207474419U | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴宇;汪松柏;沙忠宇;徐明靖;张前 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种分离式进气炉管，其中，包括：炉管主体，所述炉管主体的一端为炉口，炉管主体的另一端为炉管尾部，炉管主体的中间形成炉腔，分离式进气炉管还包括设置在炉管主体的上部的喷淋管、设置在炉管主体的下部的尾气管和拉恒温管，炉管主体的炉管尾部设置进气口，喷淋管的一端为喷淋入口，喷淋入口位于炉管主体的炉管尾部，喷淋管的另一端封闭且位于炉管主体的炉腔内，尾气管的一端位于炉管主体的炉管尾部，尾气管的另一端位于炉管主体的炉腔内，拉恒温管的一端位于炉管主体的炉管尾部，拉恒温管的另一端位于炉管主体的炉腔内。本实用新型提供的分离式进气炉管能够改善喷淋进气或尾部进方阻均匀性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 炉管 炉管尾部 进气 炉腔 恒温管 喷淋管 尾气管 喷淋 本实用新型 进气口 方阻均匀性 一端封闭 炉口 | ||
【主权项】：
一种分离式进气炉管，其特征在于，所述分离式进气炉管（100）包括：炉管主体（110），所述炉管主体（110）的一端为炉口，所述炉管主体（110）的另一端为炉管尾部，所述炉管主体（110）的中间形成炉腔，所述分离式进气炉管（100）还包括设置在所述炉管主体（110）的上部的喷淋管（111）、设置在所述炉管主体（110）的下部的尾气管（112）和拉恒温管（113），所述炉管主体（110）的炉管尾部设置进气口（114），所述进气口（114）用于通入氧气和氮气，所述喷淋管（111）的一端为喷淋入口，用于通入氮气、氧气和携磷源氮气，所述喷淋入口位于所述炉管主体（110）的炉管尾部，所述喷淋管（111）的另一端封闭且位于所述炉管主体（110）的炉腔内，所述尾气管（112）的一端位于所述炉管主体（110）的炉管尾部，所述尾气管（112）的另一端位于所述炉管主体（110）的炉腔内，所述拉恒温管（113）的一端位于所述炉管主体（110）的炉管尾部，所述拉恒温管（113）的另一端位于所述炉管主体（110）的炉腔内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡尚德太阳能电力有限公司，未经无锡尚德太阳能电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721416258.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于防爆荧光灯的防爆装置
- 下一篇：一种打头机送丝机构的调节装置
- 同类专利
- 一种晶硅电池的分步式磷掺杂方法-201810787181.5
- 丁建宁;叶枫;袁宁一 - 常州大学;江苏大学
- 2018-07-18 - 2019-10-11 - H01L21/223
- 本发明属于太阳能电池制造技术领域，涉及一种晶硅电池的分步式磷掺杂方法，即一次耗尽扩散结合二次高浓度浅层扩散及返刻方法。通过控制氧气流量、氮气流量和三氯氧磷流量在p型硅衬底上进行第一次低温磷源沉积，然后经过长时间的高温推进，耗尽磷硅玻璃里的磷，实现低表面浓度层n+，第二次在无磷玻璃上沉积、推进提高表面浓度，形成很薄的高浓度层n++，可以利用返刻方式很快被刻蚀掉。该方法可以独立精确控制不同区域磷掺杂分布，以保证非电极区具有低掺杂浓度，较低的复合电流，从而保证较高的开路电压；而电极区具有高掺杂浓度，与金属电极接触形成良好的欧姆接触，保证填充因子不受损失，从而整体提升电池的光电转换性能。
- 一种可降低常规多晶电池漏电值的扩散工艺-201910428502.7
- 钱忠刚;郑傲然;豆照园 - 通威太阳能（合肥）有限公司
- 2019-05-22 - 2019-08-23 - H01L21/223
- 本发明公开了一种可降低常规多晶电池漏电值的扩散工艺，包括以下步骤：步骤一、升温；步骤二、预氧化；步骤三、第一次沉积；步骤四、第一次推进；步骤五、第二次沉积；步骤七、冷却：温度降低至790‑800℃，通入O2流量为1000‑2000sccm，N2流量为15‑20slm；所述步骤五中，调整温度上升至840‑850℃；所述步骤五和步骤七之间加入：步骤六、第二次推进：温度降低至830‑835℃，推进时间为300‑480S，通入O2流量为1000‑2000sccm，N2流量为6‑8slm。本发明通过改变扩散工艺结构，采用低温沉积‑较高温推进‑再高温沉积‑降温推进‑冷却的模式，独立控制烧结区浓度梯度，增加结区有效掺杂面积，而且可以有效的降低常规多晶电池漏电值。
- 一种石英扩散炉用保温桶-201821680671.7
- 张忠恕 - 北京凯德石英股份有限公司
- 2018-10-17 - 2019-08-09 - H01L21/223
- 本实用新型涉及一种石英扩散炉用保温桶，包括顶板及位于顶板下方的多层挡板，所述顶板和挡板以及挡板之间均通过连接棒焊接定位，且所述顶板和挡板以及挡板之间均通过定位钉来控制焊接高度；所述定位钉为石英钉。顶板与挡板之间高度一致，且连接棒与挡板和顶板焊接固定，结构稳定，隔热效果好，有效保证反应效果。
- 一种晶体硅太阳能电池发射极的三步低压扩散方法-201910411698.9
- 袁华斌;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 - 常州亿晶光电科技有限公司
- 2019-05-17 - 2019-08-06 - H01L21/223
- 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池发射极的三步低压扩散方法，该扩散方法包括前氧化、第一次少量扩散、第一次推进、大量扩散、第二次推进、第二次少量扩散、第三次推进、后氧化、附磷。采用三步扩散的工艺方法，并且控制三步扩散过程中的温度以及气体流量，使得气体浓度的分布达到最优，解决了现有技术中因表面浓度偏高而造成的表面少子寿命低，与表面浓度低而造成的结深浅两难的技术问题，同时提高了电池片的短波响应，开压与功率均取得了较大的提升。
- 一种N型电池的共扩散工艺-201910145703.6
- 宫欣欣;张林;张昕宇;金浩;武禄;盛浩杰;张波 - 晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
- 2019-02-27 - 2019-07-02 - H01L21/223
- 本发明涉及一种电池的制造工艺，特别涉及一种N型电池的共扩散工艺，属于太阳能电池领域。一种N型电池的共扩散工艺，该工艺包括如下步骤，i)制绒：硅片清洗制绒，表面形成金字塔结构；ii)硼源沉积：采用APCVD的方法在硅片绒面沉积一层BSG，通入SiH4及B2H6气体，沉积温度为250‑270℃，沉积厚度为50‑70nm；iii)硼磷共扩散：将带有单面BSG的硅片放入管式炉中，先升温至980‑1000℃，在氮气或氧气环境下，推进硼的扩散，时间为25‑35min；降温至850‑860℃，通入磷源，沉积一层PSG，时间为8‑12min；高温共推进工艺，温度为945‑960℃，时间为25‑35min。
- 一种磷扩散方法-201510162493.3
- 司红康 - 安徽康力节能电器科技有限公司
- 2015-04-08 - 2019-06-14 - H01L21/223
- 本发明公开了一种磷扩散方法，用于PN制结，其步骤为：提供硅片于扩散炉内，通入20ml/min的大氮，升温至950摄氏度；向扩散炉内通入携三氯氧磷气体和氧气分六段三周期进行扩散工艺，扩散30分钟；关闭携三氯氧磷气体和氧气，在大氮的氛围中，降低扩散炉温度到800摄氏度，保温10分钟进行推进；最后降温出舟，取出硅片。采用本发明的磷扩散方法能够改善扩散时磷吸杂，提高磷掺杂区方块电阻的均匀性，并且成本不高，以现有的设备能够完成。
- 改善掺杂多晶或非晶硅磷浓度片间均一性的方法和结构-201410196868.3
- 侯翔宇;周利明;朱晓斌 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2014-05-12 - 2019-06-11 - H01L21/223
- 本发明公开了一种改善掺杂多晶或非晶硅磷浓度片间均一性的方法，采用炉管生长，磷烷通过3路喷嘴管路通入，3路喷嘴管路的顶端分别设置在晶舟的底部、中部和顶部；第一路喷嘴管路的顶部喷气；第二和三路喷嘴管路设置多个间隔排列的侧向出气孔；从底端到顶端的方向上，各管路的各侧向出气孔的孔径逐渐变大，且通过测试晶舟的各固定监控位置处的监控硅片的磷浓度来调节各侧向出气孔的孔径大小；通过测试沿整个晶舟位置的磷浓度曲线来调节各侧向出气孔的位置。本发明还公开了一种改善掺杂多晶或非晶硅磷浓度片间均一性的结构。本发明能提高硅片间磷浓度均匀性，能降低生产成本。
- 半导体的制造方法-201811380594.8
- 鲁珺地;李孟津;吕芳谅;刘致为 - 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为
- 2018-11-20 - 2019-05-28 - H01L21/223
- 半导体的制造方法包括在半导体基板上形成掺杂区域，其中掺杂区域包含杂质，及利用包含掺杂剂气体的处理气体对掺杂区域执行激光退火制程，其中掺杂剂气体与杂质包含同一化学元素。
- 一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法-201610420343.2
- 秦国刚;李磊;侯瑞祥;徐万劲 - 北京大学
- 2016-06-13 - 2019-05-14 - H01L21/223
- 本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入砷化镓材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于砷化镓晶片的掺杂，还可以用于砷化镓器件的掺杂，与传统的高温扩散和离子注入工艺相比，既便捷又经济。
- 一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺-201811264883.1
- 刘进;王丽;郝延蔚;赵辉 - 开封大学
- 2018-10-23 - 2019-04-02 - H01L21/223
- 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体是一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺。步骤一、扩散，保持载舟温度，按一定流量的氮气、三溴化硼和氧气进行扩散；步骤二、均化过程，保持扩散时温度，按照氮气保持一定流量进行均化处理；步骤三、推进一，保持氮气流量进行推进工艺；步骤四、推进二，降温推进；步骤五、降温完成扩散过程。本发明在提高了扩散的均匀性的同时，减小方阻波动范围，提高太阳能电池的转换效率。
- 一种太阳能电池片扩散工艺-201811095301.1
- 李涛 - 苏州惠捷迦装备科技有限公司
- 2018-09-19 - 2019-02-05 - H01L21/223
- 本发明公开了一种太阳能电池片扩散工艺,其特征在于，包括步骤：将硅片进行清洗、制绒处理，再放入扩散炉；将扩散炉温度加热至设定的第一温度，稳定后通入氧气，进行第一次氧化反应；温度加热至设定的第二温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，进行第一次扩散反应；温度加热至设定的第三温度，稳定后进行第二次扩散反应；温度加热至设定的第四温度，稳定后进行第二次氧化反应；温度进行冷却至第五温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，保持设定的第五时间；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。本发明在扩散工艺中，杂质P的扩散深度较浅，使硅表面形成重掺杂N+区域，增大电池片短路电流，提高电池转换效率。
- 沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构-201810594778.8
- J·托尔;J·玛格蒂斯 - ASMIP控股有限公司
- 2018-06-11 - 2019-01-29 - H01L21/223
- 公开了一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法。所述方法可包括：在反应室内提供衬底并加热衬底至沉积温度。所述方法可还包括：暴露衬底于至少一种IV族前体和暴露衬底于至少一种IIIA族掺杂剂前体；其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含硼氢化物、有机硼氢化物、卤化物或有机卤化物。还提供了包含通过本公开的方法沉积的IV族半导体的半导体器件结构。
- 形成p型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法-201510193767.5
- 町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎 - 日立化成工业株式会社
- 2011-01-25 - 2019-01-04 - H01L21/223
- 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
- 一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺-201810706918.6
- 励小伟;梁海;赖儒丹 - 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
- 2018-07-02 - 2018-12-28 - H01L21/223
- 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：S1.扩散炉预热并通氮气；S2.进舟，保持扩散炉的温度在750～780℃，同时通氮气；S3.通氧气、氮气，氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层；S4.第一次沉积三氯氧磷；S5.第二次沉积三氯氧磷，磷源浓度较步骤S4提高；S6.升温扩散推进；S7.高温下，第三次沉积三氯氧磷；S8.高温推进结深；S9.降温退火；S10.退舟。本发明沉积磷时，先低浓度后高浓度升温，采用递增渐变式进行扩散，有利于提高电池片的电性能，减小扩散极差。
- 显示器件制造方法及装置-201810670832.2
- 吕明仁 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
- 2018-06-26 - 2018-12-11 - H01L21/223
- 本发明公开了一种显示器件制造方法及装置。所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。本发明能提高其中的半导体构件的电性表现。
- 太阳能电池片的扩散工艺-201610318096.5
- 朱金浩;蒋剑波;王猛;许布;万光耀;陈珏荣;高非;朱庆庆 - 浙江光隆能源科技股份有限公司
- 2015-01-12 - 2018-12-04 - H01L21/223
- 本发明提供了一种太阳能电池片的扩散工艺，属于太阳能电池技术领域。它解决了现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低等技术问题。本太阳能电池片的扩散工艺，该工艺包括以下步骤：A、低温沉积；B、变温沉积；C、高温沉积；D、升温；E、高温推结；F、冷却。利用本扩散工艺制作出来的太阳能电池片具有封装损耗低、太阳能电池片转化率高的优点。
- 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺-201510302473.1
- 王芹芹 - 天合光能股份有限公司
- 2015-06-05 - 2018-11-30 - H01L21/223
- 本发明涉及一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，包括如下步骤：（1）进炉；（2）低温氧化；（3）低温气体反应沉积；（4）升温杂质再分布；（5）高温气体反应沉积；（6）降温杂质再分布；（7）低温气体反应沉积；（8）低温杂质再分布；（9）出炉。本发明可提高电池片的光电转化率，缩短生产时间，提高生产效率。
- 一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺-201810578104.9
- 张鹏;谢耀辉;杨蕾;洪布双;张元秋;王岚;常青;余波 - 通威太阳能（安徽）有限公司
- 2018-06-07 - 2018-11-06 - H01L21/223
- 本发明公开了一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，包括以下步骤：S1、沉积：在800℃的温度下，按照POCl3：O2＝15:6的气体比例进行扩散，扩散时间为10‑15min；S2、升温：以8‑13℃/min的升温速度，使得温度升高至830‑860℃；S3、有氧推进：当温度达到830‑860℃后，通入O2流量为1000‑1500sccm，且保持时间10‑15min；S4、无氧推进：保持温度在830‑860℃，取消O2的通入，且保持时间3‑6min；S5、降温：以4‑8℃/min的降温速度，使得温度降低至780‑800℃；S6、低温退火：当温度达到780‑800℃后，通入O2流量为1000‑1500sccm，且保持时间8‑12min。本发明可以有效的降低硅片表面杂质浓度、优化杂质分布的浓度梯度、增加了少子寿命，最终提高太阳能电池的转换效率。
- 一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺-201810376318.8
- 张冠纶;周丹;谢毅;谢泰宏;张忠文 - 通威太阳能（合肥）有限公司
- 2018-04-25 - 2018-09-28 - H01L21/223
- 本发明公开了一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺，步骤(4)前氧化的具体步骤为：S1、时间为30—40s，氧气流量为1—2L/min；S2、时间为50—60s，氧气流量为2—2.5L/min；S3、时间为70—90s，氧气流量为2—3L/min；步骤(11)后氧化的具体步骤为：S1、时间为60—400s，氧气流量为0.5—0.8L/min；S2、时间为80—500s，氧气流量为0.8—1L/min；S3、时间为100—900s，氧气流量为1—2L/min。本发明制备的硅片通过四探针测试的方块电阻在75—85Ω/□；后续的刻蚀、PECVD、丝印烧结等通过传统工艺完成，做出的电池片平均转换效率比传统工艺提升了0.2％以上，而且相对传统扩散工艺，该工艺可以有效的降低氧化过程中氧气的使用量，大大降低了工艺工业成本，十分值得推广。
- 低压扩散通源装置、PN结制作设备以及电池生产系统-201820160642.1
- 和江变;张鸿飞 - 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
- 2018-01-30 - 2018-09-18 - H01L21/223
- 本实用新型涉及光伏电池制造技术，提出一种低压扩散通源装置、PN结制作设备以及电池生产系统，低压扩散通源装置包括：源瓶、进气管、出气管。源瓶用于储存掺杂源液；进气管第一端与惰性气源连接，第二端通过源瓶的进口伸入掺杂源液的液面以下；出气管第一端与低压扩散装置连接，第二端通过源瓶的出口伸入掺杂源液的液面以上；其中，出气管与进气管上分别设置有进气阀和出气阀，且进气阀与出气阀的开关状态相同。本实用新型通过将进气阀与出气阀的开关状态保持一致，一方面，避免了源瓶长期处于负压状态，降低了源瓶损坏的事故概率；另一方面，避免了在非通源状态下，源瓶内的掺杂源在负压作用下进入低压扩散装置，导致低压扩散装置内产品报废。
- 一种管尾便于对接的石英炉管-201820270522.7
- 谢毅;周丹;谢泰宏;张冠纶;张忠文 - 通威太阳能（安徽）有限公司
- 2018-02-26 - 2018-08-24 - H01L21/223
- 本实用新型公开了一种管尾便于对接的石英炉管，包括炉管、端盖以及对接管，所述端盖固定于炉管的管尾处，所述对接管与端盖活动连接；所述端盖远离炉管一侧设置有若干同心的环面，所述环面上开设有出孔，所述出孔中设置有固定板和移动板，所述对接管活动连接于移动板上，且对接管侧壁开设有插槽，所述插槽中活动设置有定位块，所述定位块通过复位弹簧连接于插槽内侧壁上。本实用新型在端盖处设置的半径依次增大的同心环面上开设有多个出孔，可以更好的与对接设备进行对接操作，而且通过对接管的设置，在需要开设多个出孔的情况下，在出孔内插入对接管即可开通出孔，实现自主控制出孔数量的目的，非常值得推广。
- 用于借助共同扩散工艺掺杂半导体衬底的方法以及利用该方法制造的经掺杂的半导体衬底-201680075490.9
- 菲利普·罗斯哈特;安德烈亚斯·沃尔夫;塞巴斯蒂安·迈耶;丹尼尔·比罗;塞布丽娜·勒米勒 - 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
- 2016-12-16 - 2018-08-21 - H01L21/223
- 本发明涉及一种用于借助共同扩散工艺来掺杂半导体衬底的方法。在此情况下，首先至少单侧地利用包含至少一种第一掺杂材料的层涂层半导体衬底。每次将半导体衬底中的两个半导体衬底设置在一个处理室中，使得所述半导体衬底的被涂层的侧中的两个侧直接接触。
- 多晶太阳电池的扩散工艺-201610326178.4
- 朱金浩;蒋剑波;王猛;许布;万光耀;陈珏荣;高非;朱庆庆 - 浙江光隆能源科技股份有限公司
- 2015-01-12 - 2018-08-14 - H01L21/223
- 本发明提供了一种多晶太阳电池的扩散工艺，属于太阳能电池技术领域。它解决了现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低等技术问题。本多晶太阳电池的扩散工艺包括A、低温沉积；B、变温沉积；C、高温沉积；D、升温；E、高温推结；F、冷却。利用本工艺制作出来的多晶太阳能电池具有封装损耗低、电池转化率高的优点。
- 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法-201610207469.1
- 杨健;党继东 - 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
- 2016-04-05 - 2018-08-07 - H01L21/223
- 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)将扩散炉升温至760~780℃；进舟；(2)调温至780~790℃；(3)通入携磷源气体及干氧，进行低温扩散；(4)停止通入携磷源气体及干氧，将炉内温度升高至820~840℃，推进，(5)进行恒温推进；(6)将扩散炉内温度降低到700~750℃，进行降温扩散；(7)降温出舟。本发明开将退火步与二次扩散步结合，避免了现有技术中因退火而引起的表面掺杂溶度二次降低且杂质分布宽的问题；不仅使杂质分布符合浅结及窄杂质需求，而且还增加了产量，提高了光电转换效率。
- 一种太阳能电池扩散用石英炉管-201721189156.4
- 崔美丽;符欣;金起弘 - 韩华新能源（启东）有限公司
- 2017-09-15 - 2018-06-29 - H01L21/223
- 本实用新型公开了一种太阳能电池扩散用石英炉管，包括石英管口，所述石英管口的外截面为圆形，所述石英管口的内截面为与硅片以及承载所述硅片的石英舟相配合的形状。本实用新型的一种太阳能电池扩散用石英炉管能够保证石英管口的炉门处于打开状态时，进入炉管的冷空气和杂质相对减少，既能减少回温时间、提高扩散产能，又能避免外界杂质的污染，从而提高扩散的洁净度而提高太阳能电池的转换效率。
- 一种分离式进气炉管-201721416258.5
- 吴宇;汪松柏;沙忠宇;徐明靖;张前 - 无锡尚德太阳能电力有限公司
- 2017-10-31 - 2018-06-08 - H01L21/223
- 本实用新型公开了一种分离式进气炉管，其中，包括：炉管主体，所述炉管主体的一端为炉口，炉管主体的另一端为炉管尾部，炉管主体的中间形成炉腔，分离式进气炉管还包括设置在炉管主体的上部的喷淋管、设置在炉管主体的下部的尾气管和拉恒温管，炉管主体的炉管尾部设置进气口，喷淋管的一端为喷淋入口，喷淋入口位于炉管主体的炉管尾部，喷淋管的另一端封闭且位于炉管主体的炉腔内，尾气管的一端位于炉管主体的炉管尾部，尾气管的另一端位于炉管主体的炉腔内，拉恒温管的一端位于炉管主体的炉管尾部，拉恒温管的另一端位于炉管主体的炉腔内。本实用新型提供的分离式进气炉管能够改善喷淋进气或尾部进方阻均匀性差的问题。
- 磷扩散均匀性的修复方法-201711263983.8
- 乐雄英;李静 - 苏州润阳光伏科技有限公司
- 2017-12-05 - 2018-05-04 - H01L21/223
- 本发明公开一种磷扩散均匀性的修复方法，包括氧化、第一次沉积、第二次沉积、第三次沉积、推结五个步骤，且五个步骤于不相同的温度条件下完成。通过将传统的单步磷扩散过程变为多步扩散过程，同时将传统的恒温磷扩散过程变成了变温磷扩散过程，克服了传统的磷扩散方法在界面区域容易扩散不均匀的弊端，增加多步变温磷扩散处理，可以使磷扩散沉积的界面的均匀性得到比较好的修复，提高磷扩散的均匀性的同时，提升晶硅电池的转换效率。
- 新型扩散炉湿氧扩散装置-201721344053.0
- 赵卫东;赵枫;赵雅;郭盼盼;杨冬琴;李永仓 - 江苏东鋆光伏科技有限公司
- 2017-10-19 - 2018-05-01 - H01L21/223
- 本实用新型涉及一种新型扩散炉湿氧扩散装置，它包括低恒温槽和高恒温槽，在所述低恒温槽和高恒温槽中分别设置有源瓶和水汽瓶，所述源瓶和水汽瓶上均设置有出气口和进气口，出气口位于液面上方，进气口位于液面下方，所述源瓶的进气口与氮气气源连接，出气口与扩散炉的气体入口相连，扩散炉的气体入口同时与氧气气源连接。本实用新型在扩散过程中导入湿法氧化过程，不仅可以一定程度上降低源量，同时形成的较厚的氧化层可以很好降低表面扩散P的浓度，提高表面杂质分布的均匀性，形成较低表面浓度的PN结，并在增加扩散硅片数量的同时确保扩散均匀性，确保PN质量的同时提高产能。
- 太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法-201711084940.3
- 王森栋;白翔;梁玲 - 山西潞安太阳能科技有限责任公司
- 2017-11-07 - 2018-04-13 - H01L21/223
- 本发明涉及太能电池领域，特别涉及太阳能电池硅片磷扩散领域。太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法，第一步沉积沉积过程，沉积过程采用恒温沉积；第二步沉积沉积过程，沉积过程采用升温沉积；第三步沉积沉积过程，沉积过程采用升温沉积。本发明采用三步沉积，并且在沉积过程中同时减少氧气增加磷源的通量，在沉积的同时进行氧化，在硅片表面形成氧化层使磷源在硅片表面充分堆积，在降低表面掺杂浓度的同时保证方阻的偏差范围满足需求。这样在推进时氧化层可有效的减少表面死层，并且在沉积过程，使磷源通量递增，改善方阻均匀性。
- PN结的扩散方法、气体扩散装置和晶体硅太阳能电池片-201510134303.7
- 徐建龙;吕日祥 - 江西泰明光伏有限公司
- 2015-03-26 - 2018-04-03 - H01L21/223
- 本发明公开了一种PN结的扩散方法，包括将硅片插到扩散炉内并升至第一预设温度；经扩散炉管向扩散炉通入小氮、氧气和大氮，同时通过变量流量计调控所述小氮的流量，持续第一预设时间；扩散炉内温度升至第二预设温度，并经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，持续第二预设时间；扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片。本发明所公开的PN结的扩散方法，通过变量流量计调控所述小氮的流量，从而改变扩散炉内三氯氧磷的浓度，进而改变扩散源进入硅片内部的扩散量，从而形成更明显的浓度梯度，有效的提升太阳能电池片的光电转换效率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
