[实用新型]一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜有效
| 申请号： | 201821040152.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208385439U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王洪;胡晓龙;文茹莲 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。新型金属掺杂ITO透明导电薄膜包括新型金属掺杂ITO薄膜和基底材料，所述新型金属掺杂ITO薄膜与基底材料接触，所述新型金属掺杂ITO薄膜包括掺杂金属薄膜和ITO薄膜，所述掺杂金属薄膜和ITO薄膜通过退火处理键合在一起。本实用新型的透明导电薄膜是通过先生长一层ITO薄膜后生长掺杂金属薄膜，再一起通过高温退火后而形成，得到的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上，具有更大的薄膜光学透过率和更低的薄膜方块电阻；本实用新型在原有设备上不需要引入新的设备，结构简单，因此不会增大工艺难度，同时有利于提高薄膜光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 新型金属 掺杂 掺杂金属薄膜 本实用新型 透明导电薄膜 基底材料 薄膜方块电阻 薄膜光电 薄膜光学 高温退火 工艺难度 退火处理 原有设备 透过率 键合 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜，其特征在于：包括新型金属掺杂ITO薄膜和基底材料，所述新型金属掺杂ITO薄膜与基底材料接触，所述新型金属掺杂ITO薄膜包括掺杂金属薄膜和ITO薄膜，所述掺杂金属薄膜和ITO薄膜通过退火处理键合在一起。
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- 易翰翔;郝锐;吴魁;黄惠葵 - 广东德力光电有限公司
- 2014-10-31 - 2017-10-20 - H01L33/42
- 本发明公开了一种具有高反射电极的LED芯片，包括生长在衬底上的n型半导体层、多量子阱有源区和p型半导体层，n型半导体层制作有n型电极，p型半导体层上制作p型电极，其特征在于所述的p型电极包括依次制作在p型半导体层上的透明导电层、粘附性电流阻挡层、金属反光层、金属粘附层、金属接触层和绝缘保护层，同时介绍了该LED芯片的制作方法。本发明利用高反射率金属反光层减少金属电极对光的吸收，又把大量的光反射到其他发光表面，提高光的萃取效率，同时利用粘附性电流阻挡层解决电流拥堵问题，提高电流注入的均匀性，避免局部过热，而粘附性电流阻挡层能提高与反射金属的粘附性，最终综合提高了LED的发光效率和使用寿命。
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