[实用新型]功率半导体模块及其散热系统有效
| 申请号： | 201820912664.9 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN208240664U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李俊 | 申请（专利权）人： | 富士电机（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 200062 上海市普陀*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率半导体模块，包括IGBT芯片、壳体以及壳体上设置的冷却液进口和冷却液出口，所述壳体具有腔体，所述腔体一端与所述冷却液进口连通，另一端与所述冷却液出口连通，所述IGBT芯片设置于所述腔体内部或侧壁。本实用新型通过将冷却液流道直接设置在功率模块内部，将IGBT芯片直接浸没在冷却液中，所述IGBT芯片能够与所述冷却液直接接触，省去了以往功率模块中必须经由绝缘基板、焊接层等中间物质传递热量的过程，进而降低了热源到环境间的热阻，提高了散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 壳体 功率半导体模块 本实用新型 冷却液出口 冷却液进口 功率模块 冷却液 腔体 连通 冷却液流道 绝缘基板 腔体内部 散热系统 散热效率 物质传递 直接设置 浸没 焊接层 热源 侧壁 热阻 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括IGBT芯片、壳体以及壳体上设置的冷却液进口和冷却液出口，所述壳体具有腔体，所述腔体一端与所述冷却液进口连通，另一端与所述冷却液出口连通，所述IGBT芯片设置于所述腔体内部或侧壁。
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