[实用新型]半导体结构及半导体集成电路结构

摘要

本实用新型提供一种半导体结构，包括：待处理结构，其上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，突出部具有一高于遮掩部的离子注入面，遮掩部具有一初始上表面，离子注入面与初始上表面位于待处理结构的同一侧，突出部还具有由初始上表面至离子注入面的突起高度；突出部包括自离子注入面进行离子注入所形成的区域。通过上述方案，本实用新型提供了一种半导体结构，可以通过离子注入的方式解决半导体结构研磨速率的问题，从而可以依据实际需求调节不同区域的研磨速率；可以解决将具有高度差的结构层刻蚀研磨至同一平面的过程中所造成的晶圆表面刮伤的问题；另外，本实用新型还可以在同一晶圆的不同结构的研磨过程中，保证研磨后得到薄膜的均一性等。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：待处理结构，所述待处理结构的上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，所述突出部具有一高于所述遮掩部的离子注入面，所述遮掩部具有一初始上表面，其中，所述离子注入面与所述初始上表面位于所述待处理结构的同一侧，且所述突出部还具有由所述初始上表面形成的水平面至所述离子注入面的突起高度；其中，所述突出部包括自所述离子注入面进行离子注入所形成的区域，所述离子注入用于破坏所述突出部的内部化学键结进而提高所述突出部的研磨速率。