[实用新型]半导体结构及半导体集成电路结构

说明书

本实用新型提供一种半导体结构，包括：待处理结构，其上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，突出部具有一高于遮掩部的离子注入面，遮掩部具有一初始上表面，离子注入面与初始上表面位于待处理结构的同一侧，突出部还具有由初始上表面至离子注入面的突起高度；突出部包括自离子注入面进行离子注入所形成的区域。通过上述方案，本实用新型提供了一种半导体结构，可以通过离子注入的方式解决半导体结构研磨速率的问题，从而可以依据实际需求调节不同区域的研磨速率；可以解决将具有高度差的结构层刻蚀研磨至同一平面的过程中所造成的晶圆表面刮伤的问题；另外，本实用新型还可以在同一晶圆的不同结构的研磨过程中，保证研磨后得到薄膜的均一性等。

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路器件结构制备技术领域，特别是涉及一种半导体结构及半导体集成电路结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

目前，在半导体器件结构的制备中，经常遇到需要刻蚀以及研磨等工艺，在研磨过程中往往存在研磨速率很差以及研磨后形成缺陷等诸多问题，例如，在一DRAM产品中，记忆单元(memory cell)与其边缘(periphery)器件形成后，上面需要覆盖一层介电质(通常是SiO₂)，由于memory cell和periphery区域的高度差，造成介电质层高度落差，为了减少这种高度差，通常需要在periphery上覆盖光阻，对memory cell上面的介电质层进行刻蚀，光阻去除后，再使用CMP(chemical mechanical polish，化学机械研磨)的方法将介电质层磨平，从而，刻蚀后形成的突起会在后续的化学机械研磨中断裂，并造成晶圆表面刮伤，最终可能影响产品的电性和良率。

因此，如何提供一种半导体结构及半导体结构集成电路结构及其制备方法，以解决现有技术中存在的研磨速率差以及研磨过程容易造成产品缺陷等的问题实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体结构及半导体集成电路结构及其制备方法，用于解决现有技术中研磨速率差以及研磨过程容易造成产品缺陷等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体结构，包括：

待处理结构，所述待处理结构的上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，所述突出部具有一高于所述遮掩部的离子注入面，所述遮掩部具有一初始上表面，其中，所述离子注入面与所述初始上表面位于所述待处理结构的同一侧，且所述突出部还具有由所述初始上表面形成的水平面至所述离子注入面的突起高度；

其中，所述突出部包括自所述离子注入面进行离子注入所形成的区域，所述离子注入用于破坏所述突出部的内部化学键结进而提高所述突出部的研磨速率。

本实用新型还提供一种半导体集成电路结构，所述半导体集成电路结构包括：

半导体处理结构，所述半导体处理结构具有一研磨表面以及一初始上表面，且所述研磨表面不高于由所述初始上表面形成的水平面；