[实用新型]半导体结构及半导体集成电路结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

待处理结构，所述待处理结构的上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，所述突出部具有一高于所述遮掩部的离子注入面，所述遮掩部具有一初始上表面，其中，所述离子注入面与所述初始上表面位于所述待处理结构的同一侧，且所述突出部还具有由所述初始上表面形成的水平面至所述离子注入面的突起高度；

其中，所述突出部包括自所述离子注入面进行离子注入所形成的区域，所述离子注入用于破坏所述突出部的内部化学键结进而提高所述突出部的研磨速率。

2.一种半导体集成电路结构，其特征在于，所述半导体集成电路结构包括：

半导体处理结构，所述半导体处理结构具有一研磨表面以及一初始上表面，且所述研磨表面不高于由所述初始上表面形成的水平面；

其中，所述研磨表面由所述半导体处理结构处理前的待处理结构的上表面轮廓定义的突出部研磨形成，所述初始上表面由所述待处理结构的上表面轮廓定义的遮掩部形成，且所述突出部具有一高于所述遮掩部的离子注入面，所述遮掩部具有所述初始上表面，所述离子注入面与所述初始上表面位于所述待处理结构的同一侧，且所述突出部还具有由所述初始上表面形成的水平面至所述离子注入面的突起高度；其中，进行所述研磨之前，所述突出部包括自所述离子注入面进行离子注入形成的区域，所述离子注入用于破坏所述突出部的内部化学键结进而提高所述突出部的研磨速率，所述研磨表面由所述离子注入后的所述突出部自所述离子注入面进行所述研磨形成。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路结构，其特征在于，所述突出部的所述研磨表面与所述遮掩部的所述初始上表面位于同一水平面上。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路结构，其特征在于，所述待处理结构包括基底、位于所述基底上的存储单元结构以及覆盖所述存储单元结构且覆盖所述存储单元结构周围的所述基底的介质层，所述介质层位于所述存储单元结构顶部表面上的部分构成所述突出部，所述介质层位于所述存储单元结构周围的所述基底表面上的部分构成所述遮掩部。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路结构，其特征在于，所述研磨表面与所述遮掩部的所述初始上表面构成于一连续表面，所述研磨表面仍高于所述存储单元结构的顶部表面。

6.一种半导体集成电路结构，其特征在于，所述半导体集成电路结构包括：

半导体处理结构，所述半导体处理结构具有第一研磨表面及第二研磨表面，其中，所述第一研磨表面由所述半导体处理结构处理前的待处理结构上定义的第一注入区研磨形成，所述第二研磨表面由所述待处理结构上定义的第二注入区研磨形成，所述第一注入区具有第一离子注入面，所述第二注入区具有第二离子注入面，所述第一研磨表面和所述第二研磨表面的高度差不大于所述第一离子注入面和所述第二离子注入面的高度差；

其中，所述第一离子注入面与所述第二离子注入面位于所述待处理结构的同一侧，在相同研磨且未离子注入的条件下，所述第一注入区的研磨速率小于所述第二注入区的研磨速率；且进行所述研磨之前，所述第一注入区包括自所述第一离子注入面进行第一离子注入而形成的区域，所述第二注入区包括自所述第二离子注入面进行第二离子注入而形成的区域，所述离子注入用于改善所述第一注入区及所述第二注入区的研磨速率，且所述第一注入区的注入剂量大于所述第二注入区的注入剂量，从而使得所述第一注入区的研磨速率与所述第二注入区的研磨速率相互趋近，所述第一研磨表面由经过所述第一离子注入的所述第一注入区研磨形成，所述第二研磨表面由经过所述第二离子注入的所述第二注入区研磨形成。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路结构，其特征在于，所述第一研磨表面与所述第二研磨表面位于同一水平面上。

8.根据权利要求6所述的半导体集成电路结构，其特征在于，所述第一注入区及所述第二注入区的分布选自所述第一注入区对应位于所述待处理结构的中心，所述第二注入区环绕位于所述第一注入区的外围，以及所述第二注入区对应位于所述待处理结构的中心，所述第一注入区环绕位于所述第二注入区的外围中的任意一种。